논리함수와 게이트
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논리함수와 게이트에 대한 보고서 자료입니다.

목차

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본문내용

(3) Vcc를 5V(논리값 1)에서 0V(논리값 0)으로 단계적으로 변화시켜서 NAND 게이트가 동작하는 최소 정격 전압을 구하는 설계 방법을 생각하고, 그 단계적 방법을 구체적으로 서술하라.
NAND 게이트는 한 쪽 입력 핀에 5V전압을 걸어 줬을 때(논리값 1) 다른 쪽에 전압을 5V(논리값 1) 걸어주면 결과값은 논리값0이 나오고 Ground시키면 논리값 1이 나온다. 따라서 출력 전압이 0에서 1로 변할 때 입력 전압은 1에서 0으로 변하고 출력 전압이 1에서 0으로 변할 때 입력 전압은 0에서 1로 변한다.
이는 다시 말해서 회로에 전압을 걸어줄 때의 지연 시간은 소자에서 전압이 방전되는 시간이고, 회로에 전압을 빼 줄 때의 지연 시간은 소자에 전자가 충전되는 시간이다. 반도체에 전자가 유기되어 채널을 형성하고 문턱 전압에 도달하는데 걸리는 시간(0에서 Vth까지 걸리는 시간)과 전자가 방전되어 문턱 전압보다 낮아질 때까지 걸리는 시간(5V에서 Vth까지 걸리는 시간)에 차이가 난다. 입력 전압이 0에서 1로 변할 때(출력 전압이 1에서 0으로 변할 때)가 입력 전압이 1에서 0으로 변할 때(출력 전압이 0에서 1로 변할 때)보다 지연 시간이 더 길다.

참고문헌

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  • 등록일2014.04.15
  • 저작시기2013.6
  • 파일형식한글(hwp)
  • 자료번호#913678
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