결과_BJT 공통 컬렉터와 베이스 증폭기 회로

소개글

결과_BJT 공통 컬렉터와 베이스 증폭기 회로에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1 In-Lab(본 실험): NI ELVIS II 사용
3 Post-Lab(실험 후 과정): 고찰 사항
4 Post-Lab(실험 후 과정): 검토 및 느낀점

본문내용

결과 보고서
실험 제목: BJT 공통 컬렉터와 베이스 증폭기 회로
1 In-Lab(본 실험): NI ELVIS II 사용
■ 실험회로 1 : DMM을 이용한 소자 값 측정
소자
규격
측정값
저항
1k
0.9821k
2.2k
2.1749k
10k
9.827
10k
9.826
10k
9.843
22k
21.930k
100k
101.09k
캐패시터
1uF
1.13uF
1uF
0.9747uF
10uF
9.94uF
10uF
9.91uF
100uF
90.4uF
■ 실험회로 2 : BJT 공통 컬렉터 증폭기와 달링톤 회로 측정
이론 값
시뮬레이션 값
측정 값
Ib
30uA
30.198
0.00005A
Vce
6.7V
6.681V
6.758V
Ic
5.1mA
5.111mA
5.27mA
이론 값
시뮬레이션 값
측정 값
Ib
0A
0A
0.09mA
Vce
7.3V
7.29V
4.1851V
Ic1
26.7uA
26.645A
0.00005A
Ic
4.7mA
4.695mA
4.86mA
공통 컬렉터 증폭기 파형
달링톤 회로 파형
공통 컬렉터 증폭기 엑셀 출력값
달링톤 회로 엑셀 출력값
회로
Vinpp
Voutpp
전압이득Av 측정값
전압이득Av
시뮬레이션
전압이득Av 이론값
공통 컬렉터
409.25mV
407.60mV
0.995
1.002
1.005
달링톤
502.07
318.43mV
0.634
1.010
0.98
■ 실험회로 3 : BJT 공통 베이스 증폭기 회로 측정
이론 값
시뮬레이션 값
측정 값
Ib
7
7.105
0A
Vce
7.7V
6.785V
6.648V
Ic
1mA
1.003mA
1.04mA
공통 베이스 증폭기 파형
공통 베이스 증폭기 엑셀값 출력 파형
회로
Vinpp
Voutpp
전압이득 Av
측정 값
전압이득 Av
시뮬레이션
전압이득 Av
이론계산
공통 베이스 증폭기
1.035V
5.245V
5.067
5.1
5.07
3 Post-Lab(실험 후 과정): 고찰 사항
1. BJT 전류-전압 특성 곡선 실험을 Pre-Lab(4절)에서 MultiSim으로 시뮬레이션한 데이터와 In-Lab(5절)에서 NI ELVIS II로 측정한 데이터를 비교하라. 시뮬레이션 데이터와 측정 데이터 사이의 오차를 토의하시오.
공통 컬렉터 증폭기 Multisim
공통 컬렉터 증폭기 ELVIS　
달링톤 Multisim
달링톤 증폭기 ELVIS　
공통 베이스 증폭기 Multisim
공통 베이스 증폭기 ELVIS　
- Excel을 이용해서 시뮬레이션 데이터와 측정 데이터를 하나의 그래프로 그려서 비교하고 차이가 있다면 그 원인을 분석하라.
공통 컬렉터 증폭기 비교 그래프
달링톤 회로 비교 그래프
공통 베이스 증폭기 비교 그래프
- 표 6.9과 6.11에서 작성한 전압이득의 이론 값, 시뮬레이션 값과 측정 값을 서로
비교하고 차이가 있다면 그 원인을 분석하라.
멀티심과 엘비스의 값이 오차가 조금 있는데 , 특히 달링톤 회로의 경우 엘비스로 측정할 때 잡음이 엄청나게 발생하여 정상적인 값을 측정하기가 많이 어려웠다. 다른 회로들도 마찬가지로 잡음이 발생하였는데, 그 잡음 때문에 많은 오차가 발생한 것 같다.
4 Post-Lab(실험 후 과정): 검토 및 느낀점
달링턴 회로에서에서 잡음이 많이 강하여 어떻게 해결을할까 선을 최대한 줄여보고, 접지도 전부 해보았지만 잡음이 많이줄어들지 않았다. 원하는 값보다 오차가 심하여 아쉬웠지만, 다음 실험에서는 조금 더 찾아보고 여러 가지 시도를 해보아야 겠다. 회로 증폭기의 원리가 이해하면 쉽지만 이해하기가 어려운것같았다. 실험값과 멀티심 값이 항상 시간대별로 차이가 나서 주파수 문제인지 계속해서 시간이 맞지않아 아쉬웠다. 증폭기에 대하여 조금씩 알아가고 있어서 괜찮은것같다.

키워드

멀티심,   전자회로실험,   전자회로설계,   회로,   결과보고서