전자회로실험I - 실험 8. MOSFET 기본 특성 II 예비보고서

소개글

전자회로실험I - 실험 8. MOSFET 기본 특성 II 예비보고서에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. 실험 목적
2. 예비실험
3. 실험 순서

본문내용

감소시켜 이 전압을 기록한다. 특히 값이 문턱전압에 가까워 지면 저항 값이 급격히 증가함으로 작은 전압에서는 몇 개의 데이터만 측정한다.
위 과정을 계속 반복하여 저항 과 값을 기록한다.
실험노트에 저항 를 값의 함수로 plot 한다.
또한, 을 값의 함수로 plot 한다. 이 관계를 보면 둘 사이에 선형적(직선) 관계가 있음을 알 수 있으며 데이터 점들을 직선으로 연장하면 축을 만나게 되는데 이 만나는 점의 값을 읽는다. 이 값이 MOSFET의 문턱전압 이 된다.
실험결과와 그 데이터의 분석 방법을 개략적으로 보이면 <그림 8.3>과 같다.
회로 구성
< Plot vs >
- 처음 값이 +5V일 때, 값은 3.5679kΩ이다.
- 처음 측정한 값이 약 2배가 될 때의 전압 값은 3.75V이다.
- 문턱전압 2V부터 감소하는 파형으로 이 무한대의 크기를 가지며 가 를 초과하여 증가하면서 의 크기가 감소하는 것을 볼 수 있다.
< Plot vs >
- 직선으로 연장하였을 때, 축과 만나는 점이 이 MOSFET의 문턱전압인데, 대략 2V정도의 값이 문턱전압임을 확인할 수 있다.
- 기울기를 계산해보면, 이며, 이 값이 값이다.
- 위의 ,값을 토대로 문턱전압을 구해보면, , = 2.5V가 나오며, 식을 통해 구한 값과 시뮬레이션을 통해 구한 값이 거의 일치함을 알 수 있다.
3) PMOSFET
P-채널 MOSFET에 대해 <그림 8.4>와 같이 회로를 구성한다. PMOS의 게이트에는 음의 전압이 인가되기 때문에 회로에 연결된 전압공급기(또는 함수발생기)와 DMM의 구성과 극성을 다시 확인하시오.
NMOS와 마찬가지 방법으로 =5[V] 전압에서부터 실험을 개시한다. 그 후 전압을 증가(예를 들어 -4.5[V])시키면서 저항 값이 2배로 증가하는 전압을 기록한다.
실험 노트에 저항 를 값의 함수로 plot 한다. PMOS는 게이트의 전압의 음의 값이 증가하면 (more negative) on-저항이 감소함을 알 수 있다.
또한, 을 의 함수로 plot 한다. 이 결과 데이터를 직선으로 연결하면 축과 교차하는 점의 값은 + 값을 가지게 되지만 실제 문턱전압은 -값이 된다. 예를 들어 만약 +2[V]에서 교차하면 문턱전압은 =-2[V] 이다.
회로 구성
< Plot vs >
- 처음 값이 +5V일 때, 값은 4.1667kΩ이다.
- 처음 측정한 값이 약 2배가 될 때의 전압 값은 2V이다.
- 문턱전압 2V부터 감소하는 파형으로 이 무한대의 크기를 가지며 가 를 초과하여 증가하면서 의 크기가 감소하는 것을 볼 수 있다.
< Plot vs >
- 직선으로 연장하였을 때, 축과 만나는 점이 이 MOSFET의 문턱전압인데, 대략 -2V정도의 값이 문턱전압임을 확인할 수 있다. PMOS의 문턱전압 의 경우, 절대값으로 측정.
- 기울기를 계산해보면, 이며, 이 값이 값이다.
- 위의 ,값을 토대로 문턱전압을 구해보면, , = -1.9V가 나오며, 식을 통해 구한 값과 시뮬레이션을 통해 구한 값이 거의 일치함을 알 수 있다.

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전자회로,   전자회로실험,   전기공학,   전자공학