반도체소자 형명 및 판별법

소개글

반도체소자 형명 및 판별법에 대한 보고서 자료입니다.

목차

Ⅰ. 개요 (Introduction)
Ⅱ. 이론 (Theory)
Ⅲ. 실험장치 및 실험절차 (Apparatus & Procedure)
Ⅳ. 데이터 및 결과 (Data & Results)

본문내용

-> 빛에 의하여 트랜지스터의 collecter의 전류가 제어되는 광 트랜지스터이다. 상단에 빛을 투과시키는 막이 있으며, 내부는 NPN or PNP 접합으로 구성되어 있다.
Ⅲ. 실험장치 및 실험절차 (Apparatus & Procedure)
-실험장비 : 유니버셜 시스템, 브레드보드 , 악어집게, 멀티미터 탭, 디지털 멀티미터
TR, 일반다이오드, LED, FET, UJT, SCR TRIAC Photo TR
Ⅳ. 데이터 및 결과 (Data & Results)
반도체 소자 종류
극성 판별 및 점검법<요약>
비고
TR
(NPN, PNP)
DMM을 다이오드 검사모드. 적색 리드봉을 B에 흑색리드봉을 E와C에 접촉- 순방향 전압 LCD에 나타남. 2scl815의 경우. 왼쪽부터 E C B PNP는 반대로 하면 됨. 왼쪽이 대부분 E. DMM의 경우 h f e로 놓고 TR을 꽂음. h f e 값이 LCD에 표시되면 E B C 판별
Diode
(일반 다이오드, LED)
1.순방향 시험: DMM로 다이오드 검사를 함. 적색을 애노드, 흑색을 캐소드 LCD에서 확인
2.역방향은 반대
다이오드 측정법과 같지만, DMM의 LCD에 1.5V~2.0V가 나오면 순방향 0L이면 역방향
FET
테스터를 R x 100레인지로 하여 게이트를 찾는다(베이스를 찾는 방법으로) 게이트와 소오스간의 순방향 값<게이트 드레인 방향값(보통)
게이트 소오스간의 순방향 값= 게이트 드레인 순방향 값(소와드 교체)
테스터의 저항계를 드레인 소와드 간에 대고 게이트에 손가락을 대었을때 지침이 흔들리면 양호
UJT
테스터를 Rx100레인지로 하여 이미터(e)전극을 찾음(NPN트렌지스터 베이스전극 찾는법)
흑색 리드봉을 E에 대고 이를 중심으로 적색리드봉을 B1, B2에 번갈아 대어보아 순방향. 저항이 500옴 정도 B1이다.
그림 4-20 참조
SCR
1.판별
테스터를 Rx1옴 레인지로 하여, SRC의 각 리드 단자에 테스터 봉을 번갈아 댐- 약 10옴 정도 순방향 저항값이 나올EO 테스터의 흑색 리드봉 단자가 G 적색 리드봉 단자가 K 나머지는 A 그림 4-22참조
2.점검
흑색 리드봉을 A에, 적색리드봉을 K에 접속- 역방향
A, G 사이를 순간적 단락 시켰다 떼면 A와 K 가 순방향 약 10옴 도통 이 상태를 차단 시키기 위해 적색 또는 흑색을 떼었다 다시대고 처음상태가 되면 SCR은 양호함
그림 4-23참조
TRIAC
테스터를 Rx1옴 레인지로 하여 트라이액의 T1과 T2단자와 G, T2 단자에 미드봉을 어느 방향으로 접속하여도 저항값은 무한대
트라이액의 G단자에 흑색 리드봉을, T1에 적색 리드봉에 접속-약 10옴 지시
테스터의 리드봉을 트라이액의 T1, T2 에 접속. G를 T2에 쇼트하면 T1과T2는 도통, G2와 T2를 제거해도 계속 도통 유지
Photo TR
측정레인지를 Rx100옴에 설정
Photo TR 창으로 빛을 비춤. 회로시험기 테스터 봉을 두 단자에 교대 접속- 지시하는 저항값이 낮은 접속 상태- 적색 테스트량이 접속된 단자가 에미터
흑색 테스트봉이 접속된 단자가 콜렉터 단자가 된다.
흑색 테스터봉을 콜렉터 단자, 적색 테스트봉을 에미터에 접속 Photo TR창으로 빛을 쬐면 저항값 저하, 빛을 차단하면 저항값 증가하면 양호
(TR :PNP, NPN)
순방향
역방향
(LED)
순방향
역방향
(FET)
(UJT)
(Photo TR)
이번 실험은 반도체 소자의 형명 구성을 이해하고 극성 판별 및 부품 점검, 방법 등을 알아보는 실험이었다. 반도체 소자 각각의 방법 등을 이해하고 표에 요약을 해보니 한눈에 알아볼 수 있어서 나중에 필요할 때 바로바로 찾아 볼 수 있을 정도가 되었다. 이해하고 요약하는 표4-3을 채우는 것은 만족스러웠다. 그러나 몇 가지 소자를 직접 실험을 해보았을 때는 오차가 많이 생겼다. 첫 번째로 트라이액에서의 오차가 컸고 Photo TR에서의 오차도 상당하였다. 트라이액의 저항 수치는 아예 달랐다. 또한 이론상 Photo TR의 정상적인 제품은 빛을 차단하면 저항 값이 증가하고 빛을 쬐면 저항 값이 떨어져야 하는데 직접실험을 해보았을 때는 반대가 되었다. 우리 조는 우리가 실험을 잘못한줄 알고 다시 한 번 시도를 해보았지만 결과는 똑같았다. 오차의 원인으로는 반도체와 Photo TR이 너무 오래되고, 사용횟수가 많았기 때문인 것 같다. 또한 photo TR은 표면에 지문 같은 것이 묻어서 빛을 반사 or 산란 시켜서 낮게 측정될 수 도 있었던 것 같다.

키워드

재료기초실험,   A+,   P,   N,   반도체,   semiconductor