전기전자물성_연습문제5장

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접지부(ground)와 연결되지 않으며, pMOS의 소스에 연결되어있는 VDD (+5V) 와 연결된 상태가 된다. 입력단 Vi에 0V를 인가한 경우 5V가 출력된다.
[그림 9] CMOS 회로의 동작 : (a) 출력 +5V, (b) 출력 0V
반대로 CMOS 회로의 입력 Vi에 5V를 인가하면 nMOS의 채널은 형성되며 pMOS의 채널은 형성되지 않게 되어, 출력 단자 Vo는 nMOS의 소스에 연결되어있는 접지부와 연결된다. 따라서, 입력단 Vi에 5V의 전압이 인가되면 출력단 Vo는 0V가 된다.
Vi (V)
nMOS
pMOS
Vo (V)
0
off
on
+5
+5
on
off
0
18. RAM과 ROM의 차이점에 대해서 설명하시오.
RAM : Random Access Memory의 약자로 각 비트에 순서에 관계없이 임의번지로 접근 (random access) 할 수 있는 메모리이다. 데이터 유지를 위해 항상 전원을 필요로 한다. DRAM의 경우는 기억재생을 위하여 전원을 주기적으로 공급하며, SRAM 의 경우에는 데이터 유지를 위해 항상 고정 전류를 공급한다.
ROM : Read Only Memory의 약자로 한번 입력된 정보를 읽을 수는 있어도 재기록 또는 변경할 수 없는 메모리를 뜻한다. 읽고 쓰기가 가능한 RAM 과 비교하여 전원공급이 끊어져도 한번 입력된 정보는 기억장소에 유지 보존된다. 저장된 정보 유지를 위해 별도의 전원 공급을 필요로 하지 않는다.
19. RAM의 종류와 그 특징에 대해서 설명하시오.
DRAM : DRAM의 캐패시터는 시간이 지나면 전하 손실이 발생하는데, 이를 보상하기 위해서 전원 공급에 의해 주기적으로 재충전 (refresh) 하는 것이 필요함
SRAM : 데이터 저장을 위해 캐패시터를 재충전하는 것이 필요 없으며, DRAM과 비교하여 저장된 데이터는 전원이 공급되는 동안 보존되며 전원이 제거 될 경우에는 데이터는 사라진다.
20. EEPROM의 데이터 기록과 소거 과정을 간단히 설명하시오.
기록과정 : 컨트롤 게이트(control gate)에 VG>VT>0인 바이어스가 걸리면, 전자들은 실리콘/게이트 산화막의 경계면 쪽으로 이끌리게 되며 플로팅 게이트 아래에 n채널이 형성된다. 소스/드레인 으로부터 온 전자들은 이 채널을 통해 이동할 수 있으며 전기적인 전류를 전달한다. 비록 대부분의 전자들은 채널을 통해 이동하지만, 일부의 전자는 열전자 효과(hot electron effect)로 알려진 전자 터널링 효과에 의해 얇은 게이트 산화막을 통해서 플로팅 게이트 내로 주입된다. 전자들이 플로팅 게이트 내부에 주입되면, 다시 밖으로 빠져나갈 수 없기 때문에 수 년 동안 이 상태를 유지할 수 있다. 그러므로, 이들은 전원 공급의 유무에 상관없이 데이터를 유지 할 수 있다.
소거과정 : UV빛으로 칩 전체의 데이타를 지우는 EPROM과는 달리, 컨트롤 게이트의 바이어스에 의해 플로팅 게이트에서 컨트롤 게이트로 전자 터널링이 발생하도록 하므로 각각의 셀을 전기적으로 조절해서 데이터를 소거할 수 있다.

키워드

전기전자물성,   과제,   연습문제