-실험1-도체와 반도체의 면저항측정
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소개글

-실험1-도체와 반도체의 면저항측정에 대한 보고서 자료입니다.

본문내용

것이 일반적이고, 선저항은 두개의 probe로 임의의 거리에 대한 저항을 측정하지만, 면저항의 경우에는 동일한 간격의 4개탐침으로 측정하게 된다.이때 쓰이는 Probe가 4 point probe이고, 일반적으로 탐침은 1mm간격으로 일렬구성된 probe를 사용하며, 4개의 탐침으로 전류와 전압을 측정하여, 저항값을 구한 후, 면저항 단위인 ohm/sq로 계산하기 위해 보정계수(C.F)를 적용한다.
-비저항
단위단면적당단위길이당 저항이며 물질에 따라 다른 값을 가지고 있다. 비저항의 단위는 MKS단위계에서 Ωm이다. 비저항은 물질이 얼마나 전류를 잘 흐르게 하는가에 대한 양인 전도율과 역수관계(비저항=1/전도율)에 있다.
3.실험 결과
시편
크기 (cm)
전압(mV)
두께
전류(mA)
IGO
1×3
422.9
300nm
100
실리콘
1×1
4.281
1mm
100
ITO
1×1
229.5
200nm
100
4-point probe방법
4.실험 방법
실험 A.
1. 휴대용 4 point probe를 이용하여 금속과 반도체의 면저항을 측정한다.
2. 금속과 반도체의 전기적 특성과 연관지어, 두 값을 비교하여 본다.
실험 준비물
금속 호일
반도체 FTO 기판
휴대용 4 point probe
실험 주의사항
1.실험이 끝나면 장비는 원래의 위치로 놓고, 주위를 정리정돈 한다.
2. 실험으로 얻은 데이터는 즉시 기록하며, 실험에 사용한 계측기의 이름과 일련번호, 주위환경 등을 기록한다.
3. 데이터를 이용한 계산은 계측기의 정밀도를 참작하여 적당한 자릿수까지 산출한다.
5.논의 및 고찰
고찰 내용에 다음의 내용을 포함하여 기술 하여라
도체와 반도체의 비저항 차이의 이유를 에너지 밴드갭 구조를 이용하여 설명하여라.
면저항과 비저항의 차이에 대해 수식적으로 설명하여라.
Four point probe에서는 바깥쪽에서 전류를 흘리고 안쪽에서 전압을 측정한다. 반대로 할 경우에는 전류는 input 저항에 민감하기 때문에 오차가 발생할 확률이 높아져서 하지 않는다. 전류계는 직렬로 연걸하고, 전압계는 병렬로 연결한다. 이상적인 전류계는 저항이 없어야 되지만 미량의 저항이 존재한다. 바깥쪽에 전압을 걸어주고, 안쪽에서 전류를 측정하게 되면 전류계가 직렬로 연결되어 면저항 본래의 값만 나오지 않고 전류계의 저항도 같이 포함되어서 측정된다. 그래서 오차를 줄이기 위해 바깥쪽에서 전류를 흘리고, 안쪽에서 전압을 측정한다.

키워드

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  • 페이지수6페이지
  • 등록일2021.02.04
  • 저작시기2018.3
  • 파일형식한글(hwp)
  • 자료번호#1144961
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