Dual Gox Active, NAND TR 종류및 구조
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소개글

Dual Gox Active, NAND TR 종류및 구조에 대한 보고서 자료입니다.

목차

Dual Gox / Active
CONTENTS 개요
CONTENTS 목표
NAND TR 종류및 구조
TR 영역별 이온주입 조건
Dual Gox 구현 방법 (tunnel)
Dual Gox 구현 방법 (HV-recess)
Self-aligned(SA) STI
Tunnel oxide 방향
HV-recess 공정
SA-STI 공정
Poly-0 profile 관리 기준
New HR-STI (High-voltage Recessed STI)
STI CMP 관리 기준
STI OverCMP에 의한 HV 불량
CONTENTS 정리

본문내용

이번 학습에서는 NAND flash에서 사용하는 transistor의 종류 및 gate oxide 형성 방법, active 형성 방법 등을 다루고자 한다

NAND flash에서는 20V 이상의 고전압이 사용되기 때문에, 고전압용 gate oxide와 저전압용 gate oxide의 integration이 중요한 이슈이다

NAND flash는 DRAM이나 SRAM과 달리 독특한 SA-STI 구조를 채택하고 있으며, 그와 관련한 몇가지 이슈를 다루고자 한다
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  • 등록일2021.02.15
  • 저작시기2002.6
  • 파일형식파워포인트(ppt)
  • 자료번호#1145318
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