NAND Flash 기본 구조 및 원리
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소개글

NAND Flash 기본 구조 및 원리에 대한 보고서 자료입니다.

목차

NAND Flash 기본 구조 및 원리
NAND Flash Cell TR 구조
NAND Flash Cell 동작 원리
NAND Flash Cell String 구조

본문내용

NAND Flash는 FN-Tunneling을 이용하여 Program/Erase를 한다.
Floating Gate는 Control Gate와 Substrate사이에 위치하며 Coupling에 의하여 전압이 유도된다.
Control Gate 전압중 Floating Gate에 영향을 주는 Factor를 Coupling Ratio라고 하고 ONO와 Tunnel Oxide Capacitance에 의하여 결정된다.
Program은 Electron을 Floating Gate에 주입하여 Threshold 전압을 0V이상으로 하는 것이다.
Erase는 Floating Gate에 저장된 Electron을 제거하여 Threshold 전압을 0V이하로 하는 것이다.
  • 가격15,000
  • 페이지수16페이지
  • 등록일2021.02.15
  • 저작시기2002.6
  • 파일형식파워포인트(ppt)
  • 자료번호#1145328
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