고온용 반도체 압력센서의 제조와 특성

목차

1. 서론

2. 고온용 압력센서의 설계

3. 고온용 압력센서의 제조

4. 고온용 압력센서의 특성

5. 결론

본문내용

그림8는 온도에 따른 압력감도의 변화를 나타낸 것이다. 제작된 센서의 상온에서의 압력감도는 0에서 300torr를 기준으로 하였을 때 75 V/V·Torr이었으며 압력감도의 온도계수는 -1,734ppm/oC이었다.
5. 결론
자동차의 엔진제어나 산업용 기계 등 일반적인 반도체 압력센서의 사용이 어려운 고온환경에서 적용가능한 고온용 반도체 압력센서를 SIMOX SOI 웨이퍼를 이용하여 제조하였다. 제조된 압력센서는 다이아프램의 두께가 10 m이었으며 상온에서의 압력감도가 0torr에서 300torr를 기준으로 하였을 때 75 V/V·Torr로서 1torr의 압력차이를 감지할 수 있었다. 또한 압력감도의 온도계수는 -1,734ppm/oC 이었으며 300oC까지의 측정범위에서 우수한 특성을 보임을 확인하였다.
6. 참고문헌
1. C. S. Smith, "Piezoresistance effect in germanium and silicon", Phys. Rev., Vol. 94, 42-49, 1954.
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6. 배영호 외, "고온용 반도체센서를 위한 압저항의 제조와 특성", RIST 연구논문, 9(2), 1995.
Fig. 1 Chip layout of the piezoresistive pressure
sensor for high temperature applications.
Fig. 2 Structure of the piezoresistive pressure
sensor for high temperature applications.
Fig. 3 Front-side circuit part of the piezoresistive
pressure sensor.
Fig. 4 Cross section of the anisotropically etched
diaphragm.
Fig. 5 Top view photomicrograph of the packaged
pressure sensor.

키워드

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