photoresist에 대하여

목차

1. 序 論

2. 本 論
가. lithography 공정 분류
나. lithography 장치 특성
다. lithography 개발
라. Photoresist란 ?
마. Photoresist가 갖춰야 할 특성
바. Photoresist의 분류
사. 포토레지스트의 종류

3. 結 論
가. 향후전망
나. Photoresist 개발 방향
다. 정리를 마치며



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본문내용

증폭
고해상도 pattern
[마) 광산 발생제(PAG) 선택시 고려사항
① 산 발생 효율
② 발생된 산의 산성도
③ 발생된 산의 열확산 계수
④ 용해 억제 기여도
⑤ 레지스트 용매에 대한 용해도
⑥ 열적 안정성
⑦ 투과율
[바) 장 점
① 용해 contrast 높기 때문에 고해상도 가능
② 방향족 화합물이 포함되어 PLASMA Echting시에도 뛰어난 내성을 가지고 있다.
[사) 단 점
- 노광에 의해 생성된 산으로 인한 손실
노광 후 PEB(post exposure bake)까지 공정 중에 낮은 에너지의 노출에도
산을 생성하므로 웨이퍼나 다른 광학 장비에 까지도 영향을 준다.
[아) 대 비 책
① PEB 공정
② 저활성화 에너지 보호기 도입 노광 후 산으로 인한 영향 최소화
③ 염기성 첨가물 첨가 산 발생시 중화를 시켜주는 효과
(3) 193nm용 화학 증폭형 레지스트 : 248nm용 레지스트는 적용 불가능
[가) 특징 : 투과율을 높이기 위한 투명도 높은 화합물 사용
- 배경 : 193nm 광원에서는 PHS가 투과율이 낮다(사용불가)
[나) 메타아크릴레이트 도입 1992년 Fujitsu사
① 장점 : 193nm레이져에서 높은 해상도 가짐
② 단점 : 건식 식각 내성이 떨어짐
[다) COMA형태 고분자 도입
① 장점 : 가격이 저렴, 건식 식각 내성 뛰어남
② 단점 : 고분자의 투과도, 해상도 및 합성 수율이 낮음
[마) Polynorbornene resist
① 장점 : 건식 식각내성 뛰어남
② 단점 : 해상도 떨어짐, 금속과 반응
[바) 해상도와 건식 식각내성을 동시에 확보하는 것이 핵심
- 아크릴레이트+COMA : 삼성(VEMA), 금호화학(ROMA)
3. 結 論
가. 향후전망
(1) 157nm 리소그라피 : 흡수도가 매우 높아 투과율이 좋은 PR개발이 급선무
(가) 친수성 조절(collapse 해결) 및 해상도, 건식 식각내성을 높여야 함
(나) 대비책 : 얇은 resist사용, 두꺼운 mask사용 , pellicle사용
(2) EUV(extream ultra violet) 리소그라피 : 오히려 CAR이전 레지스트 사용
- 50nm pattern형성 예측
(3) E-beam, X선 : 화학증폭형 레지스트 개념 적용
나. Photoresist 개발 방향
(1) 고흡광도
(2) 고감도화
(3) 고해상도
다. 정리를 마치며
lithography는 기술적으로도 반도체 프로세스의 핵심 기술로서 반도체 디바이스의 미세화와 집적화를 주도하는 역할을 담당하고 있다. lithography 기술은 i-line(파장 365nm), KrF(파장 248nm), ArF(파장 193nm)로 이어지는 단파장화와 위상변위 마스크(Phase Shift Mask) 등의 해상도 향상기술(RET：Resolution Enhancement Technique), 레지스트의 성능향상에 의해 연장되어온 전통적인 광 리소그라피가 주류를 이뤄왔다. 현재는 이러한 기술발전의 연장선상에서 F2(파장 157nm) lithography 기술개발이 이루어지고 있다.

키워드

photoresist,   lithography,   pr,   리소그라피,   반도체공정,   반도체