트랜지스터의 특성 예비보고서
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소개글

트랜지스터의 특성 예비보고서에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1 실험 제목

2. 실험 목적

3. 기초 이론

4. 실험 방법 회로

본문내용

)도
VCE-IC 특성에서는 IB 에 의해 IC가 크게 변화하므로, 여러 개의 곡선이 그려진다.
IB-IC 특성, VBE-IB 특성에서는 VCE에 의해 특성이 그다지 변화하지 않으므로, 어떤 크기의 VCE일 때의 특성 곡선 1개만 나타내어 있는 경우가 많다.
(2) 최대 정격
① 트랜지스터에 가할 수 있는 최대 전압, 흘릴 수 있는 최대 전류를 최대 정격이라 한다.
② VCE나 IC가 최대 정격값 이내라도 PC=VCEIC가 컬렉터 손실 PCM 이내라야 한다.
(3) h상수
①hFE(직류 전류 증폭률) : IC와 IB의 비
②h상수
hoe(출력 어드미턴스) : VCE-IC 특성 곡선의 기울기, 즉 IC/ VCE이고 단위는 [ -1]또는 [?]로 된다.
hfe(전류 증폭률) : IB-IC 특성 곡선의 기울기. 즉 IC/ IB이고 단위는 없다.
hie(입력 임피던스) : VBE-IB 특성 곡선의 기울기, 즉 VBE/ IB 이고, 단위는 [ ]으로 된다.
hre(전압 되먹임률) : VCE-VBE특성 곡선의 기울기, 즉 VBE/ VCE 이고, 단위는 없다.
- 특성의 일부분을 이용할 때 특성 전부가 없어도 그 부분의 특성이 거의 직선이 되므로 특성 곡선의 기울기를 알면 충분하다. 이 때문에 곡선 대신에 h상수로 그 특성을 나타낸다. 트랜지스터 등가 회로에서 중요한 역할을 함.
- ICBO : 이미터 개방시, C-B간에 흐르는 누설 전류. 컬렉터 차단전류. C-B 간에 역방향 전압을 가하고, B-E 간에는 전압을 가하지 않을 때 컬렉터로 흐르는 전류. 대단히 작은값. 온도에 따라 크게 변화. ICBO가 작은 트랜지스터 사용하면 안정.
형명 표시법
①숫자S
②문자
③숫자
④문자
①의 숫자 : 반도체의 접합면수
(0 : 광트랜지스터, 광다이오드, 1 : 각종 다이오드, 정류기, 2 : 트랜지스터, 전기장 효과 트랜지스터, 사이리스터, 단접합 트랜지스터, 3 : 전기장 효과 트랜지스터로 게이트가 2개 나온 것).
S는 반도체(Semiconductor)의 머리 문자.
②의 문자 : A,B,C,D 등 9개의 문자
(A : pnp형의 고주파용, B : pnp형의 저주파형, C : npn형의 고주파형, D : npn형의 저주파용, F : pnpn사이리스터, G : npnp 사이리스터, H : 단접합 트랜지스터, J : p채널 전기장 효과 트랜지스터, K : n채널 전기장 효과 트랜지스터)
③의 숫자 : 등록 순서에 따른 번호. 11부터 시작.
④의 문자 : 보통은 붙지 않으나, 특히 개량품이 생길 경우에 A, B, …, J까지의 알파벳 문자를 붙여 개량 부품임을 나타냄.
예) 2SC316A npn형의 개량형 고주파용 트랜지스터
Ⅳ. 실험 방법
1) 다음과 같은 회로도를 그린다.
3) PSPICE를 이용하여 특성곡선을 출력한다.
참고문헌
James J. Brophy, Basic Electronics for Scientists, McGrow Hill
이석목, 2003년 1학기 전자물리학 강의노트
안영화 외3명, 전자공학으로의 초대, 인터비젼
홍순관 외2명, PSpice와 함께 하는 기초 전자전기공학실험, 홍릉과학출판사
http://dyon.postech.ac.kr/Edulab/gen-phy2/exp9/exp9.html
http://user.chollian.net/~jackcom/study/hw/diode.htm
http://www.eungok.hs.kr/99/5/sil4.htm
http://asan3.sch.ac.kr/~bslee/lecture/전자회로1
http://heebok.kongju.ac.kr/experiment/electron/em12.html
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  • 등록일2004.04.07
  • 저작시기2004.04
  • 파일형식한글(hwp)
  • 자료번호#246010
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