본문내용
다.
VA모드에서는 편광판과 검광판의 투과축을 서로 수직하게 두어 normally black이 되게 하는데, 액정분자의 장축이 편광판의 투과축과 나란한 부분은 빛이 투과되지 않아 투과율이 떨어진다. 또한 슬릿이 폭이 작으면 측면전기장이 약해, 문턱값 이상의 전압이 걸렸을 때 액정분자의 눕는 방향이 늦게 결정되어 응답특성이 떨어진다.
②RFFMH기술
C/F기판에는 돌기를 만들고, TFT기판의 화소전극에 슬릿을 두고, 수직배향막을 코팅하면 전압을 걸지 않은 상태에서는 액정분자가 그림(23)과 같이 돌기면과 유리기판의 각각의 면에서 수직배열된다. 문턱값 이상의 전압이 걸리면 슬릿 때문에 돌기 경사면 수직방향의 전기장이 유도된다. 따라서 수직 배향된 액정이 돌기면으로 눕는다. 돌기의 꼭지점 부근에서 전경선이 생긴다. 돌기에서부터 액정분자가 줍기 시작하면 액정분자 운동이 셀 속으로 전해져 액정분자가 외부전압에 반응하므로 응답특성이 약간 떨어진다. 돌기와 슬릿 사이의 인접 영역에서 액정분자의 방위각이 달라 다중영역이 된다. 돌기의 배치와 슬릿의 패턴을 조절하여 4-영역을 만들 수 있다.
③ LFIVA기술
그림24와 같이 화소전극에 슬릿이 있는 수직 배향 액저셀에 전압을 걸면 점선과 같이 등전압곡선이 생긴다.
슬릿의 중앙(1)과 화소전극의 중앙(3)에서는 전기장이 수직이지만, 화소전극의 모서리와 슬릿의 모서리에서는 수직 및 측면전기장이 걸린다. 수직배향막을 배향처리 하지 않고 액정층에 전압을 걸면 슬릿과 화소전극 중앙에서는 액정분자가 어느방향으로도 눕지 못하고 수직으로 서사 전경선이 된다.
그러나 공통전극을 슬릿의 장축 방향으로 러빙하면, 슬릿의 중앙과 화소전극의 중앙에서는 수직전기장 성분에 의하여 액정분자는 러빙 방향으로 눕는다. 그림 20에서 액정분자 배향은 측면전기장과 수직전기장과 러빙 방향과 액정의 유전율 및 탄성 계수에 의해서 결정되는데 측면전기장이 없는 부분(1,3,5) 에서는 러빙방향으로 눕는 편행 배향이 되고, 측면전기장이 있는 부분(2,4)에서는 화소 전극의 측면 전기장과 공통전극의 러빙방향이 경계조건이 된다.
전압이 걸렸을 때의 측면전기장이 없는 부분에의 액정분자배열은, 아래기판은 수직배향막이 입히고, 위기판은 수직배향막을 러빙한 액정셀의 배향과 같이 러빙방향으로 평행배향된다. 전압이 걸렸을 때의 화소전극 모서리에서는 아래기판은 측면전기장에 의하여 경계조건이 결정되고, 위 기판은 배향막의 러빙방향이 경계조건이 된다. 전극모서기(2,4)에서 위 아래 두 기판에서의 액정분자의 경계조건은 서로 수직이 되므로 액정셀 안에서의 액정분자의 경계조건은 서로 수직이 되므로 액정셀 안에서의 액정분자 배열은 오른쪽으로 꼬인 배향과 평행배향과 왼쪽으로 꼬인 배향 그리고 평행배향이 연속으로 나타난다.
그림25는 액정분자의 배향분포를 전산시늉한 것이다. 화소전극의 폭(a)은 5㎛, 전극 사이의 거리는 (b)는 15㎛이다. 러빙방향은 슬릿의 장축방향인 y축이다.
슬릿과 화소전극의 중앙부위에서는 액정분자가 러빙방향인 y축방향으로 평행배향되는 것을 알 수 있다. 현재 발표된 다중영역 VA는 영역간 경계에서 생기는 전경선의 동작불안정성 때문에 액정셀 수율이 떨어졌는데, LFIVA는 분자배향이 연속으로 변하여 영역사이에 전경선이 없으므로 액정셀 수율이 다른 다중영역 VA 모드에 비하여 높다.
그림 26은 화소 전극의 폭(a)은 6㎛, 전극 사이의 거리(b)는 8㎛이다. 러빙방향은 슬릿의 장축방향인 y축에 대하여 45°이다. 러빙방향과 화소전극의 모양에 따라서 액정분자의 배열이 달라지는 것을 알 수 있다. LFIVA는 전극의 모양과 러빙방향을 조절하여 시야각 특성을 개선할 수 있다. LFIVA모드에서 편광판과 검광판의 투과축을 직교시키고, 편광판의 투과축을 러빙방향으로 맞춘다.
LFIVA모드는 셀간격과 선경사각에 대한 허용공차가 매우 크다. 셀간격이 작아지면 슬릿 무늬에서 측면전기장이 커지므로 유효 Δn은 커지고, 반대로 셀간격이 커지면 슬릿 무늬에서의 측면전기장이 약해지므로 유효 Δn이 작아진다. 유효Δn과 셀간격의 변화가 서로 보완하여 셀간격의 변화에 대한 투과율 변화가 다른 MVA모드에 비하여 작다. 또한 빛이 경사지게 입사하는 경우, 빛은 분자의 배열이 다른 액정분자를 지나므로 방향에 따른 색차도 매우 적다. 슬릿에서의 측면전기장과 수직전기장 성분의 비에 따라서 액정의 선경사각이 결정 되는데, 슬릿에서의 전기장방향이 배향막의 선경사각 조건을 완화시키므로선경사각의 변화에 대한 광투과율 변화도 다른 다중영역VA모드에 비하여 작다 LFIVA는 측면전기장을 이용하므로 구동전압이 높다. 다른 다중영역 VA모드에서는 구동전압의 범위(dynamic range)가 좁아서 유전율 이방성의 절대값이 적은 쪽으로 액정개발이 이루어 졌지만, LFIVA모드용 액정은 모드 자체의 구종전압 범위가 크기 때문에 유전율 이방성의 절대 값이 큰 음성 액정을 써서 구동전압을 낮추고 또한 응답특성을 개선할 수 있다. LFIVA모드의 응답특성은 액정의 유전율 이방성에 많은 영향을 받는데, 유전율 이방성이 클수록 응답특성이 우수하다. 투과율 변화 80%를 기준으로 응답특성이 (Tr+Tf)이 약20ms로 매우 우수하다. 계조와 계조사이의 응답특성도 매우 우수하여 LFIVA모드는 앞으로 대형 LCD TV에 많이 응용될 전망이다. 아래 그림은 LFIVA 모드의 응답특성을 나타낸 것이다.
LFIVA모드의 투과율은 단일도메인 VA모드에 비하여 약 80%로 IPS모드와 WVfilm을 붙인 90°TN의 중간이다.
광시야각 기술은 LCD 패널의 화소를 새로 설계함으로써 시야각에 의한 색 변화를 저감하는 기술이다. 또한 새로운 화소 설계와 광학 보상필름을 최적화한 컬러 필터를 채용함으로써 어두운 부분에서의 빛 누설을 최소화 했다. 그 결과 콘트라스트가 종래의 800:1에서 1200:1로 향상되었으며, 검정색의 심도와 재현성이 향상되었다. 이러한 LCD 모니터의 제한적인 시야각을 넓히기 위한 기술은 현재 히타치의 IPS(In plane Switching) 기술과 삼성전자의 VA(Vertical Alignment)기술로 양분되어있다.
VA모드에서는 편광판과 검광판의 투과축을 서로 수직하게 두어 normally black이 되게 하는데, 액정분자의 장축이 편광판의 투과축과 나란한 부분은 빛이 투과되지 않아 투과율이 떨어진다. 또한 슬릿이 폭이 작으면 측면전기장이 약해, 문턱값 이상의 전압이 걸렸을 때 액정분자의 눕는 방향이 늦게 결정되어 응답특성이 떨어진다.
②RFFMH기술
C/F기판에는 돌기를 만들고, TFT기판의 화소전극에 슬릿을 두고, 수직배향막을 코팅하면 전압을 걸지 않은 상태에서는 액정분자가 그림(23)과 같이 돌기면과 유리기판의 각각의 면에서 수직배열된다. 문턱값 이상의 전압이 걸리면 슬릿 때문에 돌기 경사면 수직방향의 전기장이 유도된다. 따라서 수직 배향된 액정이 돌기면으로 눕는다. 돌기의 꼭지점 부근에서 전경선이 생긴다. 돌기에서부터 액정분자가 줍기 시작하면 액정분자 운동이 셀 속으로 전해져 액정분자가 외부전압에 반응하므로 응답특성이 약간 떨어진다. 돌기와 슬릿 사이의 인접 영역에서 액정분자의 방위각이 달라 다중영역이 된다. 돌기의 배치와 슬릿의 패턴을 조절하여 4-영역을 만들 수 있다.
③ LFIVA기술
그림24와 같이 화소전극에 슬릿이 있는 수직 배향 액저셀에 전압을 걸면 점선과 같이 등전압곡선이 생긴다.
슬릿의 중앙(1)과 화소전극의 중앙(3)에서는 전기장이 수직이지만, 화소전극의 모서리와 슬릿의 모서리에서는 수직 및 측면전기장이 걸린다. 수직배향막을 배향처리 하지 않고 액정층에 전압을 걸면 슬릿과 화소전극 중앙에서는 액정분자가 어느방향으로도 눕지 못하고 수직으로 서사 전경선이 된다.
그러나 공통전극을 슬릿의 장축 방향으로 러빙하면, 슬릿의 중앙과 화소전극의 중앙에서는 수직전기장 성분에 의하여 액정분자는 러빙 방향으로 눕는다. 그림 20에서 액정분자 배향은 측면전기장과 수직전기장과 러빙 방향과 액정의 유전율 및 탄성 계수에 의해서 결정되는데 측면전기장이 없는 부분(1,3,5) 에서는 러빙방향으로 눕는 편행 배향이 되고, 측면전기장이 있는 부분(2,4)에서는 화소 전극의 측면 전기장과 공통전극의 러빙방향이 경계조건이 된다.
전압이 걸렸을 때의 측면전기장이 없는 부분에의 액정분자배열은, 아래기판은 수직배향막이 입히고, 위기판은 수직배향막을 러빙한 액정셀의 배향과 같이 러빙방향으로 평행배향된다. 전압이 걸렸을 때의 화소전극 모서리에서는 아래기판은 측면전기장에 의하여 경계조건이 결정되고, 위 기판은 배향막의 러빙방향이 경계조건이 된다. 전극모서기(2,4)에서 위 아래 두 기판에서의 액정분자의 경계조건은 서로 수직이 되므로 액정셀 안에서의 액정분자의 경계조건은 서로 수직이 되므로 액정셀 안에서의 액정분자 배열은 오른쪽으로 꼬인 배향과 평행배향과 왼쪽으로 꼬인 배향 그리고 평행배향이 연속으로 나타난다.
그림25는 액정분자의 배향분포를 전산시늉한 것이다. 화소전극의 폭(a)은 5㎛, 전극 사이의 거리는 (b)는 15㎛이다. 러빙방향은 슬릿의 장축방향인 y축이다.
슬릿과 화소전극의 중앙부위에서는 액정분자가 러빙방향인 y축방향으로 평행배향되는 것을 알 수 있다. 현재 발표된 다중영역 VA는 영역간 경계에서 생기는 전경선의 동작불안정성 때문에 액정셀 수율이 떨어졌는데, LFIVA는 분자배향이 연속으로 변하여 영역사이에 전경선이 없으므로 액정셀 수율이 다른 다중영역 VA 모드에 비하여 높다.
그림 26은 화소 전극의 폭(a)은 6㎛, 전극 사이의 거리(b)는 8㎛이다. 러빙방향은 슬릿의 장축방향인 y축에 대하여 45°이다. 러빙방향과 화소전극의 모양에 따라서 액정분자의 배열이 달라지는 것을 알 수 있다. LFIVA는 전극의 모양과 러빙방향을 조절하여 시야각 특성을 개선할 수 있다. LFIVA모드에서 편광판과 검광판의 투과축을 직교시키고, 편광판의 투과축을 러빙방향으로 맞춘다.
LFIVA모드는 셀간격과 선경사각에 대한 허용공차가 매우 크다. 셀간격이 작아지면 슬릿 무늬에서 측면전기장이 커지므로 유효 Δn은 커지고, 반대로 셀간격이 커지면 슬릿 무늬에서의 측면전기장이 약해지므로 유효 Δn이 작아진다. 유효Δn과 셀간격의 변화가 서로 보완하여 셀간격의 변화에 대한 투과율 변화가 다른 MVA모드에 비하여 작다. 또한 빛이 경사지게 입사하는 경우, 빛은 분자의 배열이 다른 액정분자를 지나므로 방향에 따른 색차도 매우 적다. 슬릿에서의 측면전기장과 수직전기장 성분의 비에 따라서 액정의 선경사각이 결정 되는데, 슬릿에서의 전기장방향이 배향막의 선경사각 조건을 완화시키므로선경사각의 변화에 대한 광투과율 변화도 다른 다중영역VA모드에 비하여 작다 LFIVA는 측면전기장을 이용하므로 구동전압이 높다. 다른 다중영역 VA모드에서는 구동전압의 범위(dynamic range)가 좁아서 유전율 이방성의 절대값이 적은 쪽으로 액정개발이 이루어 졌지만, LFIVA모드용 액정은 모드 자체의 구종전압 범위가 크기 때문에 유전율 이방성의 절대 값이 큰 음성 액정을 써서 구동전압을 낮추고 또한 응답특성을 개선할 수 있다. LFIVA모드의 응답특성은 액정의 유전율 이방성에 많은 영향을 받는데, 유전율 이방성이 클수록 응답특성이 우수하다. 투과율 변화 80%를 기준으로 응답특성이 (Tr+Tf)이 약20ms로 매우 우수하다. 계조와 계조사이의 응답특성도 매우 우수하여 LFIVA모드는 앞으로 대형 LCD TV에 많이 응용될 전망이다. 아래 그림은 LFIVA 모드의 응답특성을 나타낸 것이다.
LFIVA모드의 투과율은 단일도메인 VA모드에 비하여 약 80%로 IPS모드와 WVfilm을 붙인 90°TN의 중간이다.
광시야각 기술은 LCD 패널의 화소를 새로 설계함으로써 시야각에 의한 색 변화를 저감하는 기술이다. 또한 새로운 화소 설계와 광학 보상필름을 최적화한 컬러 필터를 채용함으로써 어두운 부분에서의 빛 누설을 최소화 했다. 그 결과 콘트라스트가 종래의 800:1에서 1200:1로 향상되었으며, 검정색의 심도와 재현성이 향상되었다. 이러한 LCD 모니터의 제한적인 시야각을 넓히기 위한 기술은 현재 히타치의 IPS(In plane Switching) 기술과 삼성전자의 VA(Vertical Alignment)기술로 양분되어있다.
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