[전자회로실험] 클리퍼와 클램퍼

소개글

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목차

1. Title

2. Purpose

3. Experiment Environment

4. Related theory

5. Simulation Result or Expected Result

본문내용

파형의 형태는 변화시키지 않고, 입력 파형의 어떤 다른 dc 레벨에 고정(clamp)시키는 회로이다.
- 최소한 3개의 요소, 즉 다이오드, 콘덴서, 저항 필요하다.
- R과 C의 값은 출력 파형에 영향을 주므로 입력 신호의 주기보다 훨씬 더 크게 택해야한다.
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(a) 입력신호 (b) 회로 (c) 출력신호
클램핑 회로
- 클램핑 회로의 동작
(a) Vin = 5V (0→t1)인 경우
(b) Vin = -10V (t1 →t2)인 경우
- 저항 R의 100kΩ을 1kΩ으로 대치한다면, 시정수는 τ = RC = (103)(1.0×10-6) = 0.1 ms, 콘덴서 방전 시간은 5τ = 0.5ms가 되어 입력 신호의 반주기 시간인 0.5 ms와 같아지므로 출력 파형은 찌그러진다.
다) 클리퍼와 클램퍼 차이점
클리퍼(Clipper)회로는 파형을 짤라내는 용도로 쓸 경우이고 클램퍼(Clamper)회로는 파형을 억제하는 용도로 쓸 경우에 사용된다.
병렬 클리퍼는 소스 혹은 부하와 다이오드(클리퍼)가 병렬로 접속된 회로이고 직렬 클리퍼는 소스 혹은 부하와 다이오드(클리퍼)가 직렬로 접속된 회로이다.
클리퍼란 크램퍼 회로에 쓰이는 소자혹은 회로를 의미하며 크램퍼 회로란 다이오드의 순방향의 ON(도통)특성과 역방향의 OFF(절연)특성을 최대한 이용하여 과대신호의 억제(리미트회로), 최소신호의 유지, 신호의 중첩등으로 사용하는 회로를 말한다.
5. Simulation Result or Expected Result
(1)Simulation 회로도 1
(2)Simulation 회로도 2
(3)Simulation 회로도 3

키워드

클리퍼,   클램퍼,   오실로스코프,   전자회로실험,   클램,   클리,   클리핑,   AF