BJT특성실험

목차

실험일자

실험제목

실험목적

관련이론

실험기기 및 부품

실험방법

실험결과

토의

참고문헌

본문내용

실험제목
트랜지스터의 특성 측정
실험목적
(1)증폭기로서의 트랜지스터 작용을 이해하고 트랜지스터의 바이어싱을 알아본다
(2)트랜지스터의 증폭률을 구한다
1.트렌지스터의 구조
PNP형 트랜지스터는 N형 반도체를 P형반도체 사이에 접합한 것이고 NPN형 트렌지스터는 P형 반도체를 N형 반도체 사이에 접합한 것이다. 이 구조에서 가운데 반도체의 두께는 다른 두개의 반도체에 비해서 매우 얇으며, 이 세부분의 배열에 따라 에미터, 베이스, 콜렉터라 한다.
(1)에미터
에미터 베이스 접합은 순방향 전압이 흐른다. PNP형 트렌지스터에서 P형 에미터는 베이스의 접합에 정공 전하를 공급하고 이를 화살표방향으로 표시한다. 화살표가 에미터에서 베이스로 향하고 있으면 PNP형이고, 화살표가 베이스에서 에미터로 향하고 있으면 NPN형이다.
(2)콜렉터
콜렉터는 베이스와 접합으로부터 전하를 제거시키는 기능을 갖는다. 콜렉터 베이스 접합은 역방향 전압이 흐르고 일반적으로 4V~100V의 크기를 갖는다. 이러한 극성은 다수 캐리어가 콜랙터에서 베이스로 흐르지 못하게 하지만 베이스와 콜렉터 사이의 역전압은 에미터에 의해서 공급된 전하를 끌어당기게 된다.
(3)베이스
에미터와 콜렉터를 분리시키는 역할을 하며 베이스와 에미터 접합은 순방향으로 바이어스 되어 있으므로 에미터 회로의 저항은 아주 적은데 비해서 베이스와 콜렉터 전압은 역방항으로 바이어스가 걸리므로 콜렉터 회로의 저항은 매우 높다.
2. 트랜지스터의 바이어스
트랜지스터가 동작하기 위해서는 트랜지스터에 바이어스를 걸어 주어야 한다. 에미터-베이스 다이오드에 있어서의 정공이 다수 캐리어가 되며 P형인 에미터에서 N형인 베이스 쪽으로 이동하게 된다. 즉, 에미터에서 방출된 정공중에서 일부만이 베이스 내의 자유 전자와 결합하고 나머지 대부분에 정공은 매우 얇은 베이스를 통과하여 P형인 콜렉터로 흘러 외부 전원의 (-)극으로 들어간다. 에미터-콜렉터간은 직렬로 된 EB간 전압과 CB간 전압에 의해 연결된다.

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