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소개글

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목차

Ⅰ. 개요

Ⅱ. 다이오드의 전압․전류 특성

Ⅲ. 다이오드의 극성 판별법

Ⅳ. 포토다이오드
1. 동작원리
2. PHOTO DIODE 의 대표 특성
1) V-I 특성
2) 분광감도
3) 응답특성
4) 암전류
3. 형상

Ⅴ. 발광다이오드(LED)

Ⅵ. 제너다이오드
1. 제너 다이오드의 동작
2. 제너 다이오드의 성격
3. 제너 다이오드의 응용

Ⅶ. 터널다이오드(에사키다이오드)

참고문헌

본문내용

너 다이오드의 성격
제너 다이오드의 정격은 제너 전압 Vz, Vz의 허용범위, 제너 전류한계, 최대전력소비 및 최대동작온도 등으로 정격내에서 사용되어야 한다.
3. 제너 다이오드의 응용
제너 다이오드는 정전압원으로 사용된다. 다음은 제너 다이오드 회로다. 제너 다이오드는 부하저항 RL과 병렬로 연결된다. 제너 다이오드의 사용목적은 제한된 범위내에서 직류전원의 출력 변화나 부하저항의 변화 즉 전류의 변화에 대하여 부하 양단에 일정한 전압이 유지되도록 하는 것이다. 직렬 전류제한 저항(Rs)과 제너 다이오드의 실제는 요구되는 회로특성으로부터 계산될 수 있다.
Ⅶ. 터널다이오드(에사키다이오드)
에사끼는 터널이론을 적용하여 특수한 반도체 성질을 규명하였다. 터널 현상은 다수 반송자에 의한 효과이다. 반송자의 터널링 타임은 고전적인 천이시간과 일치하지 않았다. 고전적 천이시간은 장벽두께를 속도로 나눈 양이다. 그러나 단위시간당 양자적 천이시간확률과는 일치하였다.
터널 다이오드는 부성저항을 갖는 반도체 p-n diode 이다. 부성저항은 p-n 접합에서 전자의 터널효과에 의해서 생긴다. 터널다이오드의 p 와 n 의 양쪽 영역에서의 도핑이 매우 높고 접합면에서 공핍층 장벽이 100 옹고스트롱이나 10-6 Cm 정도로 매우 얇다. 이러한 입자들이 전위장벽의 크기보다 크거나 같은 에너지를 가지면 장벽을 넘어갈 수 있다. 그러나 양자적으로는 장벽이 3옹고스트롱보다 작으면 입자들이 장벽을 넘어갈 수 있는 충분한 운동에너지를 가질지라도 전위장벽을 통과할 수 있는 충분한 확률이 있게 된다. 보통 다이오드에서는 Fermi 에너지 준위가 금지대에 존재하나 터널 다이오드는 Fermi 준위가 p 형에서는 가전자대에 n 형에서는 전도대에 존재한다. 터널다이오드가 순바이어스가 걸렸을때 (0 터널 다이오드는 많은 응용회로에 이용된다. 부성저항특성을 이용한 초고주파 발진기, 증폭기, 메모리 등등. 저렴한 비용과, 무게가 비교적 가볍고, 고속도, 저전력, 잡음의 효율 등으로 인하여 많이 이용된다.
참고문헌
박송배 : 신회로이론, 문운당
윤현민·이형기(1995) : 기초반도체공학
일렉트로닉스 : MALVINO, 대영사
김태중 : 일반전자공학실험, 상학당
이성호·최창규 역 : 전자회로실험, Pearson International Edition 5th ed
조세황(1996) : 최신 전자 회로, 진영사
Greg Parker, 김종성 역 : 기초 반도체 소자, 대웅출판사

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다이오드,   포토다이오드,   LED,   발광다이오드,   제너다이오드