목차
1. 반도체 메모리의 종류
2. 반도체소자의 제조과정
2. 반도체소자의 제조과정
본문내용
입하는 확산공정에 의해서도 이루어진다.
12. 화학기상증착(CVD:Chemical Vapor Deposition)공정
반응가스간의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼표면에 증착하여 절연막이나 전도성막을 형성시키는 공정이다.
13. 금속배선(Metallization)공정
웨이퍼 표면에 형성된 각 회로를 알루미늄선으로 연결시키는 공정이며, 최근에는 알루미늄 대신에 구리선을 사용하는 배선방법이 개발되고 있다.
14. 웨이퍼 자동선별(EDS Test)
웨이퍼에 형성된 IC칩들의 전기적 동작여부를 컴퓨터로 검사하여 불량품을 자동선별한다.
15. 웨이퍼 절단(Sawing)
웨이퍼상의 수 많은 칩들을 분리하기 위해 다이아몬드 톱을 사용하여 웨이퍼를 전달한다.
16. 칩 집착(Die Bonding)
낱개로 분리되어 있는 칩 중 EDS 테스트에서 양품으로 판정된 칩을 리드 프레임 위에 붙이는 공정이다.
17. 금속연결(Wire Bonding)
칩 내부의 외부연결단자와 리드프레임을 가는 금선으로 연결하여 주는 공정이다.
18. 성형(Molding)
연결 금선 부분을 보호하기 위해 화학수지로 밀봉해 주는 공정으로 반도체소자가 최종적으로 완성된다.
12. 화학기상증착(CVD:Chemical Vapor Deposition)공정
반응가스간의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼표면에 증착하여 절연막이나 전도성막을 형성시키는 공정이다.
13. 금속배선(Metallization)공정
웨이퍼 표면에 형성된 각 회로를 알루미늄선으로 연결시키는 공정이며, 최근에는 알루미늄 대신에 구리선을 사용하는 배선방법이 개발되고 있다.
14. 웨이퍼 자동선별(EDS Test)
웨이퍼에 형성된 IC칩들의 전기적 동작여부를 컴퓨터로 검사하여 불량품을 자동선별한다.
15. 웨이퍼 절단(Sawing)
웨이퍼상의 수 많은 칩들을 분리하기 위해 다이아몬드 톱을 사용하여 웨이퍼를 전달한다.
16. 칩 집착(Die Bonding)
낱개로 분리되어 있는 칩 중 EDS 테스트에서 양품으로 판정된 칩을 리드 프레임 위에 붙이는 공정이다.
17. 금속연결(Wire Bonding)
칩 내부의 외부연결단자와 리드프레임을 가는 금선으로 연결하여 주는 공정이다.
18. 성형(Molding)
연결 금선 부분을 보호하기 위해 화학수지로 밀봉해 주는 공정으로 반도체소자가 최종적으로 완성된다.
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