LED 제조 공정

소개글

LED 제조 공정에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. 발광 다이오드

2. LED fabrication

3. LED package

4. LED 적용분야

본문내용

LED란? :
Light Emitting Diode의 약자로 전기에너지나 전기 신호를 빛에너지나 광 신호로 변환하는 화합물 반도체로 이루어진 발광소자를 말한다.
주로 전자제품의 디스플레이, 휴대폰, 자동차, 신호등의 발광소자로 널리 쓰임.
LED 동작 원리
LED는 P형으로된 반도체와 N형으로된 반도체로 이루어진 일종의 PN접합 다이오드로 정방향의 전류를 주입하면 자외선 및 가시광, 적외선등의 다양한 파장의 빛을 발산하는 소자이다.
그림과 같이 전압을 인가하면, N측의 전자는 P측에, P측의 전공은 N측으로 각각 주입확산하여 전류가 흐르며, 접합영역내에서 전자와 정공은 재결합하며 소멸하는데 이때 Eg에 해당하는 만큼의 발광현상을 나타내며, 나머지의 재결합은 열로 변환한다.
화합물 반도체란
두 종류 이상의 원소화합물로 이루어진 반도체
질화갈륨(GaN), 갈륨비소(GaAs), 인듐인(InP), 갈륨인(GaP)
: 3-5족 화합물반도체가 주로 이용. (최근 2-6족도 활발히 연구중)
-메모리용으로 사용되는 실리콘반도체와는 캐리어의 이동도(移動度), 띠(band)구조등이 다르므로 전기적 · 광학적 성질도 크게 다름.
-발광다이오드, 반도체 레이저 등 실리콘반도체로 실현할 수 없는 각종 소자 구현
※ 에피텍시
-그리스 문자 epi(위에)와 taxis(배열)의 합성어로서 결정구조를 갖는 물질(기판)위에 기판과 같거나 또는 다른 결정구조를 갖는 물질을 성장시키는 기술
-호모에피텍시 : 기판과 같은 결정구조를 성장하는 것
-헤테로에피텍시 : 기판과 다른 결정구조를 성장하는 것
성장방법
LPE : Liquid Phase Epitaxy(액상증착법)
결정재료가 녹아 있는 포화용액을 기판과 접촉시켜 결정을 성장
→ 1963년 Nelson에 의해 최초로 구현
Si, GaAs, AlGaAs, GaP 에피텍시 성장에 이용
VPE : Vapor Phase Epitaxy(기상증착법)
결정재료가 포함된 반응가스를 기판위로 흘리면서 열에 의한 분해와 반응을 통해 결정을 성장
→ 반응가스의 형태에 따라 HVPE, MOVPE 등으로 분류

키워드

GaN,   White LED,   SMD LED,   LED Application,   Blue chip process,   LED란,   LED 구동원리