전자회로실험 결과보고서-공통드레인 증폭기(소스폴로어)

본문내용

된다. 또한 VGS(off)=4V이므로, gm=7684uS가 된다. 여기서 Av=(id×rS)/(Vgs+id×rS)
=(gm×Vgs×rS)/(Vgs+gm×Vgs×rS)=rS/(rS+1/gm) 이고 rS=0.5kΩ이므로,
Av=0.5kΩ/(0.5kΩ+1/7684uS)=0.8 이 되고 답은 C인 0.83과 가장 유사하다.
2. 소스에서의 신호는 게이트의 신호와 얼마나 위상차가 나는가?
(a) 0° (b) 45°
(c) 90° (d) 180°
⇒ 입력과 출력을 먼저 살펴보면 앞에서 공통소스증폭기에서는 VG의 증가에 따른 VD의 감소을 예상할 수 있었으나 공통드레인 증폭기에서는 VS=ID×RS에 의해 입력과 출력이 같은 위상차에 의해 진행되게 된다.
3. 그림 23-1의 회로에서 JFET 순방향 전달컨덕턴스가 증가하면 전압이득은 어떻게 변하는가?
(a) 증가한다. (b) 감소한다. (c) 변동이 없다.
⇒ 의 공식을 확인해 보면 gm의 증가에 따라 전압이득은 증가함을 확인할 수 있다.
4. 그림 23-1의 회로에서 부하저항 RL 이 감소하면 전압이득은 어떻게 변하는가?
(a) 증가한다. (b) 감소한다. (c) 변동이 없다.
⇒ 의 공식 중 Rs=Rs||RL으로 부하저항의 RL이 감소하면 전체적인 전압이득은 감소함을 알 수 있다.
5. 공통드레인 증폭기의 동작은 바이폴라 트랜지스터의 어느 것과 유사한가?
(a) 공통베이스 증폭기(b) 공통컬렉터 증폭기
(a) 공통이미터 증폭기
⇒ 위상과 동일하다는 점에 이어 각각의 회로의 배치를 살펴보면 BJT의 공통컬렉터증폭기와 유사함을 알 수 있다.(위에서 자세히 설명)

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공통드레인 ,   증폭기,   소스폴로어,   전자회로실험