TFT 기술개요, 단위공정&개선기술, 응용 및 최근기술 동향, 기술 관련 특허
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소개글

TFT 기술개요, 단위공정&개선기술, 응용 및 최근기술 동향, 기술 관련 특허에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. 박막트랜지스터(Thin Film Transistor) 기술 개요
1.1 TFT 기술 개요
1.2 TFT 전체 제조 공정

2. TFT 단위공정 & 개선기술
2.1 TFT 단위공정 소개
2.1.1 박막증착 공정
2.1.2 식각 공정
2.1.3 포토리소그래피 공정
2.1.4 이온주입 공정
2.2 TFT 단위공정 개선기술 소개
2.2.1 박막증착 공정
- 원자층증착법
- 플라즈마 강화 원자층증착법
2.2.2 식각 공정
- 조성물 구성비에 따른 식각문제 해결
2.2.3 포토리소그래피 공정
- 포토리소그래피와 나노임프린트
- 리소그래피를 결합한 리소그래피 방법
2.2.4 이온주입 공정
- 플라즈마 이온주입기술
- 플라즈마 도핑을 이용한 이온주입기술
- 마스크를 이용한 이온주입기술

3. TFT 응용 및 최근 기술 동향
3.1 현재 TFT 산업 현황
3.2 향후 TFT 응용 기술

4. 기술 관련 특허

5. 결론

6. 참고문헌

본문내용

시킬 수 있고, 더불어 반응성이온식각공정 중 발생하는 패턴의 선폭 변형을 줄일 수 있다.
도면
효과
포토리소그래피기술과 나노임프린트리소그래피 기술을 조합하여 리소그래피 공정을 진행하므로써 잔류층이 없는 미세 선폭의 포토레지스트패턴을 형성할 수 있는 효과가 있다. 또한, 고비용의 포토리소그래피 장비를 사용하지 않아도 되므로 비용측면에서 유리할뿐만 아니라, 잔류층 제거를 위한 추가 식각공정을 진행하지 않아도 되므로 나노임프린트리소그래피 기술에 비해 공정시간을 단축시킬 수 있는 효과가 있다.
발명의 명칭
이온 주입 장치 및 이온 주입 방법
특허권자
주식회사 동부하이텍
상태
등록
출원번호
10-2009-0069469
출원일
2007년12월26일
등록번호
10-2009-0069469
등록일
2009년07월01일
기술요약
본 발명은 이온 주입 장치 및 이온 주입 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 제조 공정 중 웨이퍼의 내부에 이온을 주입하여 웨이퍼가 전기적 특성을 가지도록 하는 이온 주입공정에서 사용되는 이온 주입 장치 및 이온 주입 방법에 관한 것이다.
구성

작용
기존의 방식은 포토리소그래피를 사용하기 때문에 시간적, 비용적 문제가 있었다. 이를 해결하고자 안출된 것으로, 이온 주입 공정에서 포토리소그래피 공정을 생략하여 이온 주입에 소요되는 공정 시간을 단축하고 공정비용을 절감할 수 있는 이온 주입 장치 및 이온 주입 방법을 제공함에 그 목적이 있다. 본 발명의 이온 주입 장치는 빔 토출구에 마스크가 끼워지는 마스크 결속구를 구비하고 상기 마스크를 통하여 웨이퍼에 이온이 주입되는 것을 특징으로 한다. 또한, 웨이퍼의 상부면과 빔토출구 간의 거리는 0.1내지 1cm인 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 마스크는 1X 마스크인 것을 특징으로 한다.
도면
효과
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 이온 주입 장치 및 이온 주입 방법에 의하면, 이온 주입 공정시 포토레지스트 공정을 생략하여 이온 주입에 소요되는 공정 시간을 단축하고 공정 비용을 절감할 수 있다.
05 결론
이상 현재 디스플레이산업의 주요 핵심기술인 TFT의 공정 및 개선기술과 앞으로 상용화 될 디스플레이의 에서의 산업화 될 것으로 예상되는 TFT에 대해서 조사 해 보았다. Flexible display, 투명 display 와 같이 앞으로 상용화 될 분야에 대한 새로운 TFT기술 의 산업화에 대한 것 보다는 현재 상용화된 TFT-LCD 또는 그 밖의 디스플레이 분야에서 사용 되고 있는 TFT 기술에 대하여 초점을 맞추는 것이 더욱 현실성이 있다고 판단하였고, 조사목적은 결국 TFT 기술의 개선에 있어 최대 관심사인, 단편적으로 ‘얼마나 많은 TFT를 기기에 넣을 수 있을 것인가’ ‘제조기술에 있어 더욱 효율적인 공정(생산성 향상 및 비용절감)을 이룰 수 있을 것인가’에 대한 것이었다. 이는 곧 TFT 단위공정 기술들이 결국 반도체 메모리 소자나 TFT-LCD등의 디스플레이 등에 기반 기술로써 시장성 및 기술동향이 함께 연계되어 있는 것을 알 수 있었다. 앞에서 밝힌 관심사에 있어 각 단위공정에서의 효율성을 개선시킬 많은 특허기술 중 4가지를 조사하여 소개해 보았으며, 향후 Flexible display, 투명 display를 혁신적으로 이뤄낼 탄소나노튜브 연계 TFT와 산화물 TFT와 같은 기술들이 산업화되기 까지(현재는 산업화 구현단계이기에) 또는 함께 계속해서 개선되어 사용될 TFT 기술개선에 대한 조사를 통해 현재 사용되는 TFT기술을 계속해서 더욱 개선시킬 점이 있다는 것과 꿈의 기술이라고 불리는 Flexible display, 투명 display 분야 또한 TFT(박막트랜지스터)의 개선이 없이는 불가능하다는 것을 본 보고서 작성을 통해 이해할 수 있었다.
앞으로 TFT 최신 기술 동향으로는 초박형, 친환경, 고화질, 저원가의 TFT-LCD 기술, 초저가 및 다양 기능을 위한 융합기술 등이 중요하다고 한다. 또한 TFT 기술 트렌드로써 AMOLED를 위한 TFT 기술의 성숙이 필요하다. 나아가 실리콘 대체를 위한 Oxide TFT 기술 발전과 LCD의 TFT 기술을 기반으로 하여 Flexible Display 등과 같은 새로운 기술 개발이 필요하다고 본다.
06 참고문헌
<특허>
김민경, 금속 실리콘 질화물 박막의 플라즈마 강화 사이클릭 증착 방법, 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 2009
신혜라, 박막 트랜지스터의 제조방법 및 상기 방법에 이용되는 식각액 조성물, 동우 화인켐 주식회사, 2008
신수범, 포토리소그래피와 나노임프린트 리소그래피를 결합한 리소그래피 방법, 주식회사 하이닉스반도체, 2007
성준경, 이온 주입 장치 및 이온 주입 방법, 주식회사 동부하이텍 , 2007
<논문>
J. K. Jeong et al., “Origin of threshold voltage instability in indium-gallium-zinc oxide thin film Transistors”, Appl. Phys. Lett. 93, 123508 (2008)
J. S. Park et al., “Novel ZrInZnO Thin-film Transistor with Excellent Stability”, Advanced Materials, 21, 329-333 (2009)
<신문기사>
은용주, 탄소나노튜브 상용화 지원위한 국제 나노포럼 개최, 아시아경제(www.newsva.co.kr), 2009
<인터넷 자료>
http://www.semipark.co.kr/semidoc/waferfab/ion_impt1.asp?tm=8&tms=4
http://gespenst.egloos.com/5141710
http://www.displaybank.com/new2004/common/terms.php?id=158
http://www.displaysearch.com/cps/rde/xchg/displaysearch/hs.xsl/login_required_dsm.asp?page=7066.asp
<단행본>
디스플레이 공학, 이준신저, 홍릉과학출판사, 2009 / 반도체 공정기술, 황호정저, 생능출판사, 2005
  • 가격2,900
  • 페이지수15페이지
  • 등록일2010.03.08
  • 저작시기2009.12
  • 파일형식한글(hwp)
  • 자료번호#588180
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