메뉴펼치기
-
1
-
2
-
3
-
4
-
5
-
6
-
7
-
8
-
9
-
10
-
11
-
12
-
13
-
14
-
15
-
16
-
17
-
18
-
19
-
20
-
21
-
22
-
23
-
24
-
25
-
26
-
27
-
28
-
29
-
30
-
31
-
32
-
33
-
34
-
35
-
36
-
37
-
38
-
39
-
40
-
41
-
42
-
43
-
44
-
45
-
46
해당 자료는 10페이지 까지만 미리보기를 제공합니다.
10페이지 이후부터 다운로드 후 확인할 수 있습니다.
10페이지 이후부터 다운로드 후 확인할 수 있습니다.
목차
1. 문턱전압을 조절하기 위한 이온주입양 설계
2.. 트렌지스터의 폭과 너비 설계
3. 트렌지스터 Layout
4. 마스크레벨 분류
5. 공정순서 설계
2.. 트렌지스터의 폭과 너비 설계
3. 트렌지스터 Layout
4. 마스크레벨 분류
5. 공정순서 설계
본문내용
0.18μm Tech를 위주로 공정을 설계하였습니다.
단위공정에 대해 공부를 한적이 있다면
알기쉽게 정리되어 있으며
STI, LDD,Poly Gate등 여러 기술들을 사용하였습니다.
단위공정에 대해 공부를 한적이 있다면
알기쉽게 정리되어 있으며
STI, LDD,Poly Gate등 여러 기술들을 사용하였습니다.
추천자료
- 가격3,000원
- 페이지수46페이지
- 등록일2011.03.02
- 저작시기2010.12
- 파일형식기타(pptx)
- 자료번호#652956
본 자료는 최근 2주간 다운받은 회원이 없습니다.
소개글