전자공학실험 열안정실험보고서

소개글

전자공학실험 열안정실험보고서에 대한 보고서 자료입니다.

목차

목 차


1. 목적 ……………………………………… 3P

2. 목적 및 서론 …………………………… 3P

3. 부품 및 기기 …………………………… 3P

4. 실험순서 ……………………………… 3~4P

5. 실험과정 ……………………………… 4~6P

6. 회로도 …………………………………… 6P

7. 소감 및 고찰 …………………………… 7P

본문내용

따라서 조합 바이어스는 넓은 범위의 온도에서 적당하고 안정하게 동작
한다는 것을 알 수 있음.
6. 회로도
7. 소감 및 고찰
- 전자회로 과목을 수강하면서 트랜지스터의 역할로 스위칭 작용과 증폭기 역할
을 한다는 것을 토대로 고정, 베이스, 에미터, 전압분배, 컬렉터 궤환 바이어스
등을 배우고, Vce를 구하는 정도 까지만 이해하고 넘어 가는 것이 전부였지만, 각 회로의 특성에 따라 어느 범위와 온도에서 적당하고 안정하게 동작한다는 것은 실험을 통하지 않았으면 알고 넘어가지 못하였을 것이다.
이번 기회로 트랜지스터의 동작특성을 한 번 더 짚고 넘어 갈 수 있었던 기회
였고 여러 회로들 중에서 에미터 궤환과 콜랙터 궤환에 전압 분할 바이어스가
조합된 조합 바이어스 회로가 가장 높은 열안정도를 나타낸 다는 것을 알 수
있었다.
- 위 실험에서는 4가지의 다른 증폭기를 다루었다 트랜지스터와 콜렉트간의 전압 이 많이 변화하는 회로일수록 증폭회로에서의 열안정도는 낮은 회로임을 확인 할 수 있었다 열안정도가 불안정한 회로는 트랜지스터의 동작점에 많은 영향을 주기 때문에 왜곡된 출력 신호를 내기 때문에 좋은 회로가 아니다 또한 불안정 한 회로는 열을 많이 가하게 되면 트랜지스터가 손상을 입기 쉽다. 그러므로 트랜지스터가 넓은 범위의 온도에서 적당하고 안전하게 동작하기 위해선 회로설계를 3번 회로나 4번 회로를 사용하는 것이 훨씬 좋다는 것을 알 수 있다.
- 이번 실험 시간에 4가지 바이어스 법을 사용한 기초적인 4가지의 증폭기를 조
립하고 각각의 회로에 트랜지스터에 열을 가했을때 발생한 전압의 변화량을 관 찰 했을때 베이스 바이어스만은 사용한 회로에선 트랜지스터의 콜렉터와 에미 터 간의 전압이 많이 변화하는 것을 알았고 또 베이스 바이어스에 에미터 궤환 을 사용했을때 전압의 변화가 적다는 것을 알수 있었는데 이 결과는 높은 열안 정도를 나타내는 것이다. 다음 에미터궤환에 전압분할 바이어스가 첨가됐을때 전압의 변화가 엄청나게 적다. 마지막 에미터 궤환과 콜레터 궤환에 전압 분할 바이어스가 첨가 됐을때 전압의 변화량은 거의 없다고 보면 되는데 이것은 이 실험을 하게 된 의미를 배우게 되었다. 이 4가지 회로중에 가장 열안정도가 높 다는것을 알게되었고, 증폭회로에서 가장 중요한 문제이다. 세 번째 네 번째 회 로가 가장 높은 열안정을 가졌고, 따라서 이 트랜지스터는 넓은 범위의 온도에 서 적당하고 안정하게 동작하다는 것을 알수있다.
- 이 실험에서 4가지 다른 바이어스법을 사용한 기초적인 4종류의 증폭기를 조 립해 보았다. 그리고 각 회로의 트랜지스터에 열을 가해서 각 트랜지스터 사이 에서 발생하는 전압의 변화량을 관찰해 보았다. 증폭회로에서 열안정도는 대단 히 중요한 문제이다. 열안정이 좋지 않은 회로는 트랜지스터의 동작점이 변화 하므로 왜곡된 출력신호를 만들어 낼 수 있다. 또한 온도가 너무 높으면 손상 을 입기도 쉽다. 이에 반해 셋째 넷째 회로는 높은 열안정을 가져 넓은 범위의 온도에서 적당하고 안정하게 동작한다는 것을 알 수 있었다.

키워드

실험보고서,   열안정실험,   전자,   증폭기