금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 (MOS field effect transistor)

소개글

금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 (MOS field effect transistor)에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. 트랜지스터
2. FET
3. MOS-FET 구조
4. MOS-FET 종류
5. MOS-FET 동작원리
6. MOS-FET 정량적인 분석
7. 3D 트랜지스터
8. 마침

본문내용

전계 효과 트랜지스터(FET)

게이트 전극에 전압을 걸어 채널의 전계에 의하여 전자 또는 정공이 흐르는 관문(게이트)이 생기게 하는 원리소스, 드레인, 게이트의 3가지 단자로 이루어짐.

MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FET) :
게이트 부분이 반도체의 산화 피막상의 금속 전극이 되어 있는 것이다.
현재의 집적 회로의 주류가 되고 있는 소자이다.

JFET(Junction FET) : 게이트 부분이 보통 트랜지스터와 동일하게 이종 반도체의 접합면이 되어 있는 것이다. MOS와 동작 원리가 달라서 접합면에 생기는 공지층에 의하여 전류를 제어한다.

MESFET(Metal Semiconductor FET) : 게이트 부분이 금속 전극과 반도체에 집적 접합되어 있는 것이다.

키워드

MOS-fet,   트랜지스터,   FET