[전자회로실험] BJT의 특성 예비보고서

소개글

[전자회로실험] BJT의 특성 예비보고서에 대한 보고서 자료입니다.

목차

① BJT (Bipolar Junction Transistor)
② BJT 동작 및 바이어스
③ 이미터, 컬렉터, 베이스 전류
④ 트랜지스터의 전류 이득
⑤ 평균 컬렉터 특성
⑥ 평균 컬렉터 특성(VCE-IC)을 결정하기 위한 시험 회로 : 점 대 점 방법

① 베타(β) 측정
② VCE 대 IC

본문내용

하기 위해 멀티미터를 베이스와 4.7
kΩ 저항 다리 사이에 직렬 연결한다.
2. 5kΩ 가변 저항을 조절하여 IB가 10μA가 되도록 한다.
3. 멀티미터를 베이스 직렬 연결에서 떼어내고 전압모드로 바꾸어 VCE 6V 되도록 2kΩ 가변 저항을 조절한다.
4. 다시 멀티미터를 전류 모드로 바꾸어 컬렉터와 100Ω 저항 다리 사이에 질렬 연결하고 컬렉터 전류 IC를 측정한다.
5. 베이스 전류를 각각 30μA, 40μA, 50μA로 증가시키며 과정 1~4를 반복한다. 측정된 컬렉터 전류 IC를 표에 기록한다.
6. 베이스 전류가 (10μA와 30μA), (30μA와 40μA), (40μA와 50μA)일 때의 베타(β)값을 계산하여 표에 기록한다.
② VCE 대 IC
※ VCE와 IC의 관계를 알아보기 위한 실험이다. 각 베이스 전류에 대해 VCE를 변화시키며 IC를 관찰한다. 회로 연결은 옆과 같다. 베타 측정 실험 회로에서 컬렉터에 연결된 저항들을 제외한 것과 동일한 회로이다.
1. CH1 DC 1.5V, CH2 DC 0V인 상태에서 5kΩ 가변저항을 조절하여 베이스 전류가 10μA가 되도록 한다.
2. 멀티미터를 컬렉터와 CH2 입력 전압 사이에 연결한다. CH2 전압을 표에 나와있는 것과 같이 증가시키며 컬렉터 전류 IC를 측정하여 기록한다.
3. CH2 DC 전압을 0V로 내린다.
4. 베이스 전류를 20μA ~ 60μA까지 10μA씩 증가시키며 과정 1~3을 반복한다. 표에 모든 데이터를 기록한다.
5. 표의 데이터를 사용하여 X축에 VCE, Y축에 IC인 그래프를 각각의 IB에 대하여 그린다.

키워드

전자회로실험,   BJT,   BJT 특성,   Bipolar Junction Transistor,   문턱 전압,   컬렉터,   이미터,   베이스