61실리콘단결정성장기술
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목차

단결정 실리콘 성장기술

단결정 실리콘 제조 방법 - 인상법
- 장단점
- 한계
- 부상 도가니 Czochralski
- 액상 방지막 Czochralski

단결정 실리콘 제조 방법 – 부유 대역법

본문내용

인상법

단결정(seed crystal)을 접촉시킨 후 서서히 위로 올리면 seed crystal의 결정
방향과 동일한 방향의 실리콘 단결정이 따라 올라오면서 결정 성장이 이루어지는 방법 .

1. 고주파 or 저항 가열체로부터 석영 or 흑연도가니 가열
2. 도가니속에 다결정 실리콘 넣고 가열하면 녹음(액체)
3. 종자 결정(Seed crystal)을 용액속에 담가 천천히 위로 올리면서 회전
4. 종자 결정방향과 일치하는 단 결정 완성
.
.
.
인상법 장ㆍ단점
장점
• 장비의 간단한 구조
• 큰 직경의 단결정 봉 성장
• 다결정 실리콘의 모든 재료 사용가능
• 짧은 생산기간, 대량생산 가능
• 불순물 농도가 균일

단점
• 높은 성장온도로 인한 석영도가니 침식
• 산소가 단결정에 함께 존재함
• 불순물이 상대적으로 많은편
  • 가격2,000
  • 페이지수17페이지
  • 등록일2012.02.19
  • 저작시기2010.3
  • 파일형식파워포인트(ppt)
  • 자료번호#728360
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