[Display 공학] TFT-LCD실험, Oxide TFT와 Organic TFT의 전기적, 광학적 특성 분석 및 심층적 분석

소개글

[Display 공학] TFT-LCD실험, Oxide TFT와 Organic TFT의 전기적, 광학적 특성 분석 및 심층적 분석에 대한 보고서 자료입니다.

목차

Ⅰ. 실험 목적
Ⅱ. 실험 재료 및 기구
Ⅲ. 실험방법
　[1] Oxide와 Organic TFT Electrical 특성
　[2] O2 Oxide와 불포함 O2 Oxide Optical 특성
Ⅵ. Reference

본문내용

Ⅰ. 실험 목적 : 차세대 디스플레이가 계속 출현하면서, AMOLED와 TFT-LCD의 성능도 같이 향상되었다. 그러면서 TFT소자에도 advanced된 성능과 저가격의 소자가 요구되었다. 그 중 Oxide와 Organic 반도체가 가장 주목 받고 있다. Oxide TFT를 만들 수 있는 여러 가지가 있는데, 그 중에 IGZO라는 물질이 지금까지 특성이 가장 좋다. 9주차에 amorphous silicon와 poly silicon의 전기적인특성과 광학적인 특성을 비교하여, trans-curve, output-curve를 측정해보고, swing값, mobility, conductance 여러 가지 factor등을 측정해 본다. 또한 UV-VIS spectrometer를 이용하여 산소가 포함된것과 산소불포함된 IGZO의 Optical bandgap도 구해본다.


Ⅱ. 실험 재료 및 기구 : IGZO & Organic 증착 기판, probing system, UV-spectrometer, SPA(반도체 분석기)


Ⅲ. 실험방법 : 우리는 전기적 특성과 광학적 특성을 probe station와 UV-VIS spectroscope를 이용한다.

[1] Oxide와 Organic TFT Electrical 특성

① TFT sample을 probe station에 넣고 현미경을 이용하여, SMU 1,2,3이라는 probe를 source, drain, gate에 연결시킨다.
② SMU 1번은 Source, 2번은 Drain와 3번은 gate에 접촉 시킨다. 이 연결은 광학적현미경 보면서한다.
③ 암실이 되도록 문을 닫는다. 이것은 다른 빛에의한 photocurrent의 영향을 제거 해준다.
④ 그 결과 우리는 Output curve, transfer curve를 관측한다. 또한 이로 Conductance와 Mobility 유도한다.

　≪ 사 진 ≫　　　　　≪ 사 진 ≫

A. Probe System　　B. Probe으로 접촉모습

우리가 실험에서 사용한 TFT는 test용으로 만들어진 것이라 일반적인 TFT의 구조 모습이라고 물성만 측정할 수 있게 특별히 만들어진 것이다.

　≪ 그 림 ≫　　　　　　　≪ 그 림 ≫

C. MOSFET으로 이해　　D. 단차 측정 경로

여기서 Oxide와 Organic 조별마다 W(width)/L(length)의 비율이 서로 달라 측정하고자하는 값이 다르다.

[2] O2 Oxide와 불포함 O2 Oxide Optical 특성

① UV-VIS spectroscopy를 이용하여 광학적 특성을 분석한다. 여기서 산소 포함 Oxide와 불포함 분석.
② Glass를 이용하여 기준값을 잡아준다. Amorphous silicon과 poly silicon을 각각 넣고 측정하여 투과도(transmittance) 값을 알아낸다.

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│　[종합] 전기적인 특성으로 구할 수 있는 Graph
├…………………………………………………………………
│　① Output Curve　　 │　② Transfer Curve
│　③ Conductance　　　│　④ Resistance
│　⑤ Linear Mobility　│　⑥ Saturation Mobility
│　⑦ Swing Factor　　 │　⑧ Threshold Voltage
├─────────────────────────
│　[종합] 광학적인 특성으로 구할 수 있는 Graph
├…………………………………………………………………
│　① Optical Band Gap　│　② Tauc graph
└─────────────────────────
a-Si:H와 Poly-Si는 어떤 특정한 조건에 생성되었다

키워드

ZnO TFT,   IGZO TFT,   PEDOT PSS,   PDY-132,   Thin Film,   Transfer Curve,   TFT-array,   정보디스플레이,   투명디스플레이,   Flexible Display