-
1
-
2
-
3
-
4
-
5
-
6
-
7
-
8
-
9
-
10
-
11
-
12
-
13
-
14
-
15
-
16
-
17
-
18
-
19
-
20
-
21
-
22
-
23
-
24
-
25
-
26
-
27
-
28
-
29
-
30
-
31
-
32
-
33
-
34
-
35
-
36
-
37
-
38
-
39
-
40
-
41
-
42
-
43
-
44
-
45
-
46
-
47
-
48
-
49
-
50
-
51
-
52
-
53
-
54
-
55
-
56
-
57
-
58
-
59
-
60
-
61
-
62
-
63
-
64
-
65
-
66
-
67
-
68
-
69
-
70
-
71
-
72
-
73
-
74
-
75
-
76
목차
전자회로1실험
<실험결과보고서>
실험목적
이론적 배경(원리 및 관련이론)
실험절차 및 방법
실험결과
결론 및 검토
참고문헌
<실험결과보고서>
실험목적
이론적 배경(원리 및 관련이론)
실험절차 및 방법
실험결과
결론 및 검토
참고문헌
본문내용
1. 다이오드 동작 특성
(1) 다이오드 순방향, 역방향 바이어스 실험
각각의 경우에서, 다이오드간의 전압과 저항에서의 전압강하를 측정하시오.
순 바이어스에서는 다이오드에 걸리는 전압은 약 0.6[V]이고, 저항에 걸리는 전압은 대략 4.4[V]이다.
역 바이어스에서는 다이오드에 걸리는 전압은 5[V], 저항에 걸리는 전압은 zero[V]이다.
VS=0.3V, 0.5V, 0.6V, 0.7V, 0.8V, 1V, 2V, 3V, 5V 일 때의
다이오드 전압과 저항 R에 걸리는 전압을 구하여 흐르는 전류를 구하고, 그래프로 그리시오.
단, R=1 ㏀, 5 ㏀, 10 ㏀에 대하여 윗 과정을 반복하여 측정하고,
그 결과를 비교 검토하시오.
led동작특성
소자가 순바이어스되면, 전자들은 n영역으로부터 pn접합을 건너 p영역의 정공과 재결합한다. 이들 자유전자들은 전도대에 있고, 가전자대의 정공들 보다 더 높은 에너지 준위에 있다.
재결합이 일어날 때, 재결합하는 전자들은 熱과 빛의 형태로 에너지를 방출한다.
Si과 Ge는 본질적으로 열을 발생하는 물질이고 발광작용이 거의 없으므로 LED로 사용되지 않는다.
GaAs(gallium arsenide) LED : infrared(IR,赤外線
GaAsP(gallium arsenide phosphide) LED : red or yellow
GaP(gallium phosphide) LED : red or green
TIL221 red, TIL222 green
(1) 다이오드 순방향, 역방향 바이어스 실험
각각의 경우에서, 다이오드간의 전압과 저항에서의 전압강하를 측정하시오.
순 바이어스에서는 다이오드에 걸리는 전압은 약 0.6[V]이고, 저항에 걸리는 전압은 대략 4.4[V]이다.
역 바이어스에서는 다이오드에 걸리는 전압은 5[V], 저항에 걸리는 전압은 zero[V]이다.
VS=0.3V, 0.5V, 0.6V, 0.7V, 0.8V, 1V, 2V, 3V, 5V 일 때의
다이오드 전압과 저항 R에 걸리는 전압을 구하여 흐르는 전류를 구하고, 그래프로 그리시오.
단, R=1 ㏀, 5 ㏀, 10 ㏀에 대하여 윗 과정을 반복하여 측정하고,
그 결과를 비교 검토하시오.
led동작특성
소자가 순바이어스되면, 전자들은 n영역으로부터 pn접합을 건너 p영역의 정공과 재결합한다. 이들 자유전자들은 전도대에 있고, 가전자대의 정공들 보다 더 높은 에너지 준위에 있다.
재결합이 일어날 때, 재결합하는 전자들은 熱과 빛의 형태로 에너지를 방출한다.
Si과 Ge는 본질적으로 열을 발생하는 물질이고 발광작용이 거의 없으므로 LED로 사용되지 않는다.
GaAs(gallium arsenide) LED : infrared(IR,赤外線
GaAsP(gallium arsenide phosphide) LED : red or yellow
GaP(gallium phosphide) LED : red or green
TIL221 red, TIL222 green
추천자료
- 전자오르간[전자회로 실험 텀프로젝트]
- [전자회로실험] 이미터팔로워 실험
- 전자회로 실험(김동식 저) - 1장 다이오드 특성 및 반파 정류회로 실험
- 일반전자공학실험-실험 #6 저항 회로 및 중첩의 원리
- 전자공학실험-실험 #8 인덕터 및 RL 회로
- 전자공학실험- Diode 응용회로
- 전자회로 실험 JFET특성
- 전기전자기초실험)브릿지 회로
- [전자회로실험] CE 출력특성 곡선과 전류이득 발표자료입니다.
- [전자회로실험] 종속접속 증폭기, 오디오 증폭기 발표자료입니다.
- [전자회로실험] 이미터 접지 바이어스와 증폭도 발표자료입니다.
- [전자회로실험] 접합형 전계효과 트랜지스터 발표자료입니다.
- [기초전자실험] 기본소자 실험 목적 - 전자 회로의 기본소자는 R(저항), L(인덕터), C(캐패...
- 전자전기컴퓨터설계실험 - 실험 장비 사용법 및 RLC회로 분석