[전자회로실험] BJT의 특성 및 바이어스 bias (결과 보고서)
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소개글

[전자회로실험] BJT의 특성 및 바이어스 bias (결과 보고서)에 대한 보고서 자료입니다.

목차

전자회로실험 - BJT의 특성 및 bias

1. 실험 제목

2. 실험 목적

3. 실험 장비 및 재료

4. 실험절차 및 결과 분석

5. 토의

6.문제 풀이

참고 문헌:

본문내용

풀이
1. 실험절차 5, 6과 11, 12에서 를 확인하라.
실험 5: (0.001) = (0.195) - (0.192) 성립하지 않음
실험 6: (0.048) = (7.346) - (7.929) 성립하지 않음
실험 11: (0.039) = (0.194) - (0.190) 성립하지 않음
실험 12: (0.041) = (7.311) - (7.897) 성립하지 않음
-가변저항을 5kΩ으로 하고 실험하였을 때는 오차가 거의 없었는데 최소로 하고 실험을 했을 때는 오차가 많이 생겼다.
- 예상 원인: 가변저항의 오차, β값의 변화, 멀티미터의 오차 등
2. 그림 3.1에서 그림 3.5까지의 회로 중에서 (a) npn, (b) pnp 형 트랜지스터의 forward bias 방법을 나타내는 것은? 또, 그 이유를 실험 결과를 이용하여 설명하라.
-그림 3-2는 pnp형, 그림 3-4는 npn형의 트랜지스터의 forward bias 방법
forward bias는 베이스, 에미터는 순방향 접속 베이스, 콜렉터는 역방향 접속 시 활성영역에서 동작. 즉, 적은 베이스 전류로 큰 콜렉터 전류를 얻을 수 있다.
-만약 이를 지키지 않게 되면 활성영역이 아닌 차단영역에서 동작하게 된다.
3. 에미터 bias를 증가시킬 때, 콜렉터 전류의 변화는 어떠한지 실험결과를 이용하여 설명하라.
-문제 6번과 12번처럼 가변저항 값을 최소로 하면, 베이스-에미터 간의 전류가 증가되어 콜렉터 전류도 증가되는 비례 관계를 볼 수 있다.
4. 에미터-베이스에 역 bias를 걸어주면, 콜렉터 전류는 어떻게 되는지 실험결과를 이용하여 설명하라.
-역 bias시 차단영역에서 동작하게 되며 문제 8번과 14번과 같이 아무 전류도 흐르지 않게 된다. 즉, 콜렉터 전류 또한 흐르지 않게 된다.
5. 의 물리적 의미를 설명하라. 또, 의 측정방법은?
-는 역방향 bias시 전압에 직접 비례하게 되는 표면누설 전류 값이다.
-측정법은 베이스-콜렉터 사이를 역방향 bias후 측정가능하나 그 값이 매우 작아 측정이 힘들다.
6. 실험에 사용한 트랜지스터의 특성을 data book에서 찾아서 실험결과와 일치하는지 확인 하라.
-2N2907A pnp형
= -60V = -60V =-600 = 400 = 300 = 300ns
-2N2222A npn형
= 40V = 75V = 800 = 500 = 0 = 250ns
참고 문헌: 네이버/구글 검색엔진 & 전자회로 7판
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  • 페이지수6페이지
  • 등록일2014.09.11
  • 저작시기2014.9
  • 파일형식한글(hwp)
  • 자료번호#936808
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