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지스트를 임프린트하기 위해서는 고압 (10-30 bar 정도)이 필요하기 때문에 기 제작된 하단의 나노 구조물을 파손시킬 소지가 있고, 불투명한 스탬프는 다층화 정렬작업에 불리하게 작용한다. 이에 반하여, UV-NIL은 1996년 Haisma 등[3]에 의하여 최
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시킬 수 있고, 더불어 반응성이온식각공정 중 발생하는 패턴의 선폭 변형을 줄일 수 있다.
도면
효과
포토리소그래피기술과 나노임프린트리소그래피 기술을 조합하여 리소그래피 공정을 진행하므로써 잔류층이 없는 미세 선폭의 포토레지스
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발전되어 ‘나노’ 강국이 되었으면 하는 바람을 가져 본다.
<< 관련 그림 >>
그림 4. UV-NIL 작업 공정 그림 5. multi-dispensing 공정 그림 6. multi-dispensing 공정 결과
그림 1. 탄소나노 튜브 그림 2. 연잎 효과 그림 3. 나노 로봇
<< 참고 자
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다하도록 노력하여야 합니다. 그리고 후반부의 Printed Electronics를 통해서는 반도체 제작 기술에 있어 학기 초에 강연 되었던 나노 임프린트 리소그래피외에도 인쇄 기술을 이용한 반도체 제작이 가능함을 알게 되는 기회가 되었습니다.
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aperture) : 방사되는 전자의 통로 전자빔 노광기술이란?
전자빔 노광기술 시스템 구성
전자빔 노광 기술의 장단점
임프린트란?
임프린트 공정
나노 임프린트
(a) Thermal-type(NIL)
(b) UV-NIL
임프린트 기술의 장단점
질의 및 응답
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나노임프린트 리소그래피 (박찬익, 정훈의, 서갑양 / 서울
대학교 기계항공공학부)
[3] Unconventional methods for forming nanopattern (M E Stewart, M J Motala, Jimin
Yao2, L B Thompson, and R G Nuzzo)
[4] http://www.cheric.org/board/view.php?code=f05&seq=11402&page=7
[5] 제6판 고체전
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