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화학기상성장법 [化學氣相成長法, chemical vapor deposition
IC(집적회로) 등의 제조공정에서 기판 위에 규소 등의 박막을 만드는 공업적 수법으로 약칭은 CVD이다. 화학물질을 포함하는 가스에 열이나 빛으로 에너지를 가하거나, 고주파로 플라스마
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Chemical Vapor Deposition) **
1. CVD (Chemical Vapor Deposition)
3. CVD의 종류
4. CVD Reactor
5. CVD Kinetics
6. LPCVD
7. Si, SiO2, Si3N4 박막형성 공정
8. 저온 CVD 공정
9. PECVD
** Sol-Gel process **
1. Sol-Gel 법의 발전
2. Sol-Gel 법이란
3. Sol-Gel 법의 원료
4. 금속
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박막형성 메커니즘은
1. 플라스마에서 이온과 라디칼 형성 1. 화학기상증착(CVD)법
1) 熱 CVD
2) 플라스마 CVD
3) 光 CVD
4) MO-CVD
5) 레이저 CVD
2. 원자층 화학박막증착법(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition, ALCVD)
3. PVD(physical vapor depos
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Chemical Vapor Deposition)
화학기상증착(CVD) 은 여러가지 물질의 박막제조에 있어서 현재 가장 널리 쓰이고 있는 방법입니다. CVD의 응용범위는 반도체와 같은 microelectronic devices의 제조에서부터 보호막의 코팅에 이르기까지 매우 다양합니다.
보통
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법은 기체상태의 화합물을 가열된 모재표면에서 반응 시켜고 생성물을 모재표면 에 증착시키는 방법이다. 화학증착은 현재 상업적으로이용되는 박막제조기술로 가장 많이 활용되고 있으며 특히 IC등의 생산공정에서는 매우 중요한 단위공정
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