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비휘발성메모리
기반의 버퍼캐쉬 관리」, 『The Journal of The Institute of Internet, Broadcasting and Communication (IIBC)』, 제 16권, 3호, 2016 DOI: http://dx.doi.org/10.7236/JIIBC.2016.16.3.7 I. 서론
II. 본론
(i) 컴파일러와 인터프리터 장단점
(ii) CD-ROM, DVD, 그리
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비휘발성 메모리 소자의 제작 및 특성 연구” 한규일(경희대학교 대학원 석사학위 논문)
- “낸드 플래시 메모리 소자의 제조방법에 대한 특허 조사”
성균관대학교 정보통신 소자 연구실
- www.wips.co.kr 특허검색
- 삼성전자 반도체 홈페이지
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메모리셀을 구성하는 소자 수를 절반으로 줄여 DRAM과 동등한 크기로 축소시킬 계획이며 이에 필요한 TMR의 Magnetic Ratio(MR비)를 40%까지 향상시키는 기술확보가 가능한 것으로 예측하고 있음
- B회사는 MR비가 35%인 TMR소자를 사용한 셀구조를 실현
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1.강유전체 메모리(FRAM)란?
Ferroelectric Random Access Memory의 약자로서, 기존의 DRAM과 거의 똑같은 구조와 동작원리를 가진 기억소자.
강유전체 (Ferroelectrics) 라는 재료를 캐퍼시터 재료로 사용하여 전원이 없이도 Data를 유지할 수 있는 비휘발성 메
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메모리 반도체 분야 시장점유율 1위를 차지하고 있으며, 파운드리 반도체 분야에서는 2위를 차지하고 있다. 하지만, 펩리스(반도체 설계) 분야에서는 두각을 나타내는 한국 기업들은 그다지 많지 않다. 4차 산업 혁명 시기에 반도체 분야에서
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비휘발성 메모리 분야의 새로운 강자로 떠오를 가능성이 크다고 할 수 있다.
Ⅳ. 참고문헌
Chen, Y. et al., "An Access-Transistor-Free(0T/1R) Non-volatile Resistance Random Access Memory(PRAM) Using a Novel Threshold Switching, Self-Rectifying Chalcogenide Device". 2003 IEDM Technical Dig
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MEMORY 영역을 자유롭게 READ/WRITE 할 수 있다. 1. 서론 -----------------
1.1. 동기 및 개요 -----------------
1.2. 목적 -----------------
1.3. 새로운 시스템 -----------------
2. 본론 -----------------
2.1 기본 원리 및 구성 -----------------
2.2 AVR의 특성 ---------------
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