|
3d \n",
"kind: value val:", dp -> u.val);
break;
}/* switch (dp -> kind) */
}/* FUCTION prn_data(data *dp) */
void prn_stack(stack *str)
{
data d;
printf("stack count: %3d%s", str -> cnt,
(str -> cny ==0 ) ? "\n" : " ");
if (!empty(str))
{
d = pop(str); /* pop the data */
prn_data(&d); /
|
|
|
Depth-fused 3-D display
DFD 착시현상의 발견에 근거해 고안된 방식
장점
비교적 간편한 구성
피로감 적은 3D상을 입체안경 없이 제시
양 눈 시력차이가 큰 관찰자에게도 뚜렷한 3D 제공
단점
관찰 위치의 한정성 3D 정의
3D D
|
|
|
3D Snap 시스템을 통해 모든 모델링, 애니메이션, 질감 지정 작업 동안 수치에 의한 정밀한 제어를 할 수 있습니다. 변과 정점들을 원하는 모든 뷰 또는 Construction Plane에 적용할 수 있습니다. Modifier Stack에 Quad Output 필터를 추가해서 완전한 데이
|
|
|
스택의 탑에는 시작 정점을 입력 합니다.
break;
}
}
printf("\n");
pathprint(stack,top,j);//스택에 입력된 값을 출력 합니다.
}
printf("\n");
}
void pathprint(int stack[],int top,int j)//스택값을 출력 합니다.
{
int i;
printf("%d : ",j);
for(i=top;i>=0;i--)
{
printf("%3d",stack[i]);
|
|
|
3D) Intergration 기술과 chip-chip stacking 기술 등이 도입될 것으로 예상된다. 25nm technology node 이후의 세대는 DRAM 기술을 예견하기가 매우 여렵지만, 지금과는 상당히 다를 것만은 틀림없으며, 새로운 기능성 물질 등이 발견, 발명된다면, Multi-bit cell D
|
|
 |
Stack은 그 안전상의 이유로 Main Process Area에서 멀리 떨어진 곳에 위치하게 되어 진다. 아래의 그림은 실제 Flare system 으로 가는 Line을 3D로 나타낸 것이다. 아래의 그림을 참고로 하여 이러한 고온의 직선 Pipe Line을 설계함에 있어서 고려해야 하
|
|
 |
3D CTF V-낸드를 최초로 양산한 것으로 시작해서, 최근에는 12단 TSV 패키징, 1xx단 V-낸드 SSD 양산까지 항상 신기술의 최전선에 있음을 알게 되었습니다. 이를 통해 다가올 4차 산업혁명 시대에 ‘최초, 그리고 최고의 DS’를 향한 꿈을 가지게 되었
|
|
메뉴펼치기
