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Low-Temperature
- Complex structure
Plasma Enhanced CVD(PECVD)
- Using a Plasma
- Low-Temperature
- High deposition rate
- Limited step coverage
Low Pressure CVD(LPCVD)
- Pressure : 0.5 ~ 1 Torr
- High step coverage
- High Uniformity
- Low deposition rate 1. What is the thin film?
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Low-Temperature Measurements p 514-515 쪽을 참조하여 위의 표를 작성함.
-리드선의 길이는 inner vessel의 전체높이에서 10% 부분인 0.06835 m 로 계산하였다.
(1) stainless-steel tube :
(2) 20copper leads :
- Experimental Techniques for Low-Temperature Measurements p. 74쪽을 참조하
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제거가 쉬워지고 undercutting의 문제도 최소화시킬 수 있다. 그러므로 초미세 재생산(micropattern reproduction)에 있어 plasma processing은 필수적이라고 볼 수 있다.
★ 그 외에도 저온 반도체 정화(low-temperature cleaning of semiconductor), chip packaging 및 circuit boa
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도 구현이 용이해진다는 장점이 있다. 위에서 언급한 것과 같이 패널의 각 배선은 구동 IC로부터 주사 신호 및 데이터 신호를 TCP를 통해 입력받도록 되어있다. 그러나 구동 IC의 크기 및 배선 간격의 물리적 한계로 인해 기존의 a-Si에서는 고해
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: "Mechanical properites and Solder Joint Reliability of Low-Melting Sn-Bi-Cu Lead Free Solder Alloy" , R&D Rev. of Toyata CRDL, 39-2 (2004), 49.
12. Seong jun K at al : "Interfacial Reaction and Die attach Properties of Zn-Sn High-Temperature Solders", journal of electronic materials, s11664-008-05
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