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F-poly 공정은 cell의 coupling ratio를 결정하는 중요한 공정의 하나로, cell 산포 및 신뢰성과 밀접한 관계를 갖는다
F-poly의 최종 space CD는 통상적으로 D/R의 절반 수준이기 때문에, 이의 구현을 위해 다양한 방법의 공정이 사용되고 있다
M/A 관
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NAND Flash는 FN-Tunneling을 이용하여 Program/Erase를 한다.
Floating Gate는 Control Gate와 Substrate사이에 위치하며 Coupling에 의하여 전압이 유도된다.
Control Gate 전압중 Floating Gate에 영향을 주는 Factor를 Coupling Ratio라고 하고 ONO와 Tunnel Oxide Capacitance에 의하
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ration ration value, low voltage hysteresis 변화 등 전기적으로 안정적인 특성을 나타낸다.
4. 참고 문헌
[1] F. Ebisawa, T. Kurosawa, S. Nara, J. Appl Phys 54 (1983) 3255
그림1. 전자 통신동향 분석 제 20권 제5호 2005년 10월호
[2] W. Clemens, W. Fix, J. Ficker, A. Knobloch, A. Ullm
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Coupling
1-4. 스캐너 문제점들의 해결방법
1-4-1. Software correction
1-4-2. Hardware correction
1-4-3. 광학기법 Optical Techniques
1-4-4. 정전용량기법 Capacitive Techniques
1-4-5. Strain-gauge Techniques
1-5. Scanner선형성 테스트
1-5-1. Instrinsic nonlinearity
1-5-
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Ratio: 0.219
⑥Primary Coil Inductance = 2000 [nH]
⑦Secondary Coil Inductance = 91 [nH]
⑧Coefficient of Coupling = 1
-시뮬레이션의 결과
→ Peak 값 20[V]가 전압 강하되어 4[V]정도로 떨어지고,
다시 다이오드에 의한 전압강하로 인하여 DC 3[V]로 나오는 것을 알 수 있었
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