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두 번째 특성곡선이 된다.
위의 그림의 전달 콘덕턴스곡선은 다음과 같이 전류와 전압으로 표현된다;
I_D = I_DSS ~left(1 - V_GS over V_GS(off) right)^2 1)접합형 FET (Junction FET(JFET))
2)Biased JFET
3)Drain Curve
4)전달 콘덕턴스곡선(transconductance curve)
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두 번째 특성곡선이 된다.
위의 그림의 전달 콘덕턴스곡선은 다음과 같이 전류와 전압으로 표현된다;
I_D = I_DSS ~left(1 - V_GS over V_GS(off) right)^2 1)접합형 FET (Junction FET(JFET))
2)Biased JFET
3)Drain Curve
4)전달 콘덕턴스곡선(transconductance curve)
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drain, gate에 연결시킨다.
② SMU 1번은 Source, 2번은 Drain와 3번은 gate에 접촉 시킨다. 이 연결은 광학적현미경 보면서한다.
③ 암실이 되도록 문을 닫는다. 이것은 다른 빛에의한 photocurrent의 영향을 제거 해준다.
④ 그 결과 우리는 Output curve, tran
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Drain 전극 형성··················36
제5장 실험 결과 및 고찰···················37
5.1 Bias Aging에 따른 MIM 특성 분석··········37
5.2 Bias Aging에 따른 유기 박막 트랜지스터
소자 특성 분석·················
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