FN-Tunneling

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NAND Flash는 FN-Tunneling을 이용하여 Program/Erase를 한다. Floating Gate는 Control Gate와 Substrate사이에 위치하며 Coupling에 의하여 전압이 유도된다. Control Gate 전압중 Floating Gate에 영향을 주는 Factor를 Coupling Ratio라고 하고 ONO와 Tunnel Oxide Capacitance에 의하

NAND Flash 기본 구조 및 원리 Program Operation, Erase Operation NAND Flash 기본 동작 특성, NAND Flash 기본 구조 및 원리,

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등록일 2021.02.15
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