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플래쉬 메모리의 구조
- NAND Cell Technology Scalability -
- Flash Memory Operation -
5. NAND Flash의 특징
가격이 저렴하다.
핀의 수가 적어서 보드의 소형화에 유리하다.
대용량의 메모리를 만들 수 있다.
연속된 대용량의 데이터 처리시 처리속도가 빠르
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NAND Flash는 FN-Tunneling을 이용하여 Program/Erase를 한다.
Floating Gate는 Control Gate와 Substrate사이에 위치하며 Coupling에 의하여 전압이 유도된다.
Control Gate 전압중 Floating Gate에 영향을 주는 Factor를 Coupling Ratio라고 하고 ONO와 Tunnel Oxide Capacitance에 의하
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반도체 메모리의 분류를 알아본다.
구조와 용도에 따른 Flash Memory의 분류를 알아본다.
NAND Flash의 특징과 장단점을 알아본다.
NAND Flash의 주 용도를 알아본다.
이번 아젠다는 반도체 메모리중 NAND Flash의 구조 및 동작에 따른 분류와 용도등을
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플래시 메모리 제품을 개발하였다.
2. Flash Memory 의 구조
- NVM : Non Volatile Memory
- ROM : Read Only Memory
- OTP : One Time Programmable ROM
- EPROM : Erasable Programmable ROM
- EEPROM : Electrically Erasable & Programmable ROM
9) Nand 플래쉬 메모리에서의 Invalid Block
• Nan
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플래시메모리 파일시스템을 위한 안전한 파일 삭제 기법, 정보과학회논문지;컴퓨팅의 실제 및 레터 제 13권 제6호, 2007, p428.
[5] 삼성전자, Application Note for NAND Flash Memory.
http://www.samsung.com/Products/Semioconductor/Memory/appnote/app_nand.pdf 목 차
1. 서
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