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방법의 공정이 사용되고 있다
M/A 관리 및 shortening 최적화가 특히 요구되는 공정이다 F-Poly 공정 구성 항목
CONTENTS 개요
CONTENTS 목표
Floating Gate & Coupling Ratio
Narrow F-Poly Space 구현
F-poly shortening
F-poly M/A 관리
F-poly 저항
ONO 신뢰성
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NAND Flash는 FN-Tunneling을 이용하여 Program/Erase를 한다.
Floating Gate는 Control Gate와 Substrate사이에 위치하며 Coupling에 의하여 전압이 유도된다.
Control Gate 전압중 Floating Gate에 영향을 주는 Factor를 Coupling Ratio라고 하고 ONO와 Tunnel Oxide Capacitance에 의하
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Floating gate 1.5μm NMOS 비휘발성 메모리 소자의 제작 및 특성 연구” 한규일(경희대학교 대학원 석사학위 논문)
- “낸드 플래시 메모리 소자의 제조방법에 대한 특허 조사”
성균관대학교 정보통신 소자 연구실
- www.wips.co.kr 특허검색
- 삼성전
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Floating gate 1.5μm NMOS 비휘발성 메모리 소자의 제작 및 특성 연구, 경희대학교 대학원 석사학위 논문 Ⅰ. 개요
Ⅱ. 메모리의 개념
1. 실제 메모리와 논리적 메모리 개념
2. 메모리의 계층 구조 개념
3. 메모리 관리 정책
Ⅲ. 메모리의 분
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gate로 전자가 주입된 상태를 말하며 EEPROM에서는 floating gate로부터 전자가 discharge된 상태를 말한다.
WS(Work Stream)
제품의 흐름이나 제품의 진행사항 등의 사항들을 관리해주기 위한 종합적인 S/W로 공장자동화에 사용된다.
WSI(Wafer Scale Integration)
W
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