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Focused Ion Beam System)
1. 집속 이온빔 장치의 구조
2. 각 부분별 작동원리
3. 집속 이온빔 장치의 응용
SEM(Scanning Electron Microscope)
1. 주사전자현미경(SEM)이란?
2. SEM의 작동 원리
3. SEM의 구성
MgO 보호막
1. MgO 보호막의 조건 및 역할
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focused ion beam) 장비로 제작하게 된다 . 이렇게 측정한 결과를 현재 일반적으로 광학부품 측정에 사용되고 있는 interferometer 방식의 장비에서 측정한 결과값과 비교하여 측정 정확도를 확인한다.
Experimental Setup
[ Pinhole과 wavefront sensor를 이용한
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lator와 Correction Tool 개발, (3)실리콘기판 위에서 0.15mm Critical Dimension의 pattern 형성에 대한 연구를 수행하였다
3. EUV (Extreme Ultraviolet) lithography
X-ray, ion-beam projection, electron-beam projection lithography와 더불어 차세대 노광 기술의 하나로 EUV lithography (X선
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Ion Etching) → chemical/physical
［화학적 반응과 물리적 반응을 혼합하여 사용］ Etching(식각)
Etching(식각)의종류
Dry Etching
Plasma
Plasma Etching
Problum!
Sputter Etching
Ion-Beam Etching
RF 스퍼터 식각
RIE (Reactive Ion Etching)
MERIE Type( Magnetically Enhan
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FIB (Focus Ion Beam) 의 개요
Focus Ion Beam장치는 집속 빔을 시료 표면에 주사해서 발생하는 2차
이온등을 검출해서 현미경상을 관찰 또는 시료 표면을 가공하는 장치
입니다.
광원 (빛의 발생원)
Focus Ion Beam장치에서는 Ion Gun, Ion Source라고 부르는
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Ion And Election Beam 대전
2.1.3 정전기에 의한 방전
2.1.3.1 대 전열
2.1.3.2 소재의 분류
2.1.4 정전유도와 대전 전위
2.1.4.1 도체의 대전
2.1.4.2 습도와 대전전위
2.1.4.3 인체의 대전전위
2.1
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이온 식각 공정(RIE;Reactive Ion Etching process)과 UV 몰딩 공정을 사용하여 광 투과성 분광기를 제작 하였다. 이러한 공정은 전자빔 리소그래피(e-beam lithography)나 포토리소그래피(photo-lithography) 방식에 비해 시스템구성이 간단한 장점이 있다.
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