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로 IGBT가 ON되 기 때문이다.초퍼 회로 등에 사용할 경우 IGBT를 사용하지 않고 FWD 만 사용할 수 있는 케이스에서는 반드시 게이트-이미터간을 쇼트해놓는 것이 중요하다(후술하는 바와 같이 역 바이어스 를 걸어두는 것도 좋다). 또 회로를 작성
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IGBT의 해석에는 일반적으로 MOSFET + Diode model과 MOSFET + BJT model
두가지가 많이 사용됩니다.
어떤 모델을 사용하든 관계는 없지만 MOSFET + BJT model이 비교적
정확한 편입니다.
(그렇다고 크게 차이가 나지는 않습니다. 좀더 정확한 값을 얻을 수 있다
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Power BJT, Power FET,
Thyristor, IGBT
스위칭 소자에 대한 특성 분석
[1] BJT
➠ Bipolar Junction Transistor
➠ Switching , Amplifier
➠ 1200V,400A 정격에도 사용 가능 , 10kHz 이상에서 동작하는 변환기에도 사용
〔다수 및 소수 캐리어에
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용이하므로 고속전철용 전원장치에 널리 활용
IGBT 단면도
IGBT 등가회로
※ 3상인버터의 정현파 PWM 제어는 일정한 직류 입력전압 로부터 크기와 주파수가 가변될 수 있는 평형 3상의 제어 출력전압을 얻을 경우 가장 널리 사용되는 출력전압 제
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IGBT
그림 2-35의 (a)와 (b)는 N채널 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)의 회로기호와 둥가회로를 각각 나타낸다. 그림 2-35 (a)에서 G, C, E는 각각 게이트(gate), 컬렉터(collector), 에미터(emitter) 단자를 나타내며, 게이트와 에미터 사이의 전압 vcE의크기로 컬
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