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주입하여 Threshold 전압을 0V이상으로 하는 것이다.
Erase는 Floating Gate에 저장된 Electron을 제거하여 Threshold 전압을 0V이하로 하는 것이다. NAND Flash 기본 구조 및 원리
NAND Flash Cell TR 구조
NAND Flash Cell 동작 원리
NAND Flash Cell String 구조
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특성
(2) 산업의 성장성
(3) 경기변동의 특성
(4) 경쟁요소
5.시장 특성 및 시장 점유율
6.판매경로 및 판매방법 등
7.사업영역
8.직원의 현황
9.경영 전략 및 마케팅 전략
10.주식의 총수
11.경영 시스템
12.주가정보
13.재무정
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동작
J
K
PR
CLR
Q
Q'
1
+5
+5
+5
+5
2
+5
+5
0
+5
3
+5
0
0
+5
4
0
+5
0
+5
5
0
0
0
+5
6
+5
+5
+5
0
7
+5
0
+5
0
8
0
+5
0
+5
9
0
0
0
+5
10
+5
+5
0
0
11
+5
0
0
0
12
0
+5
0
0
13
0
0
0
0 실험 6. Bistable or flip-flop
1. 목적
2. 실험 기기 및 부품
3. 기본 이론
4. 실험 과정
4. AND-게이트된 J-
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특성인데, 만약 순서를 지키지 않고 +5나 0V를 넣으면 실험값이 원하는 대로 나오지 않기 때문이다. 그리고 CP입력이 들어왔을 때만 출력 Q와 Q′에 변화가 있음을 확인 할 수 있었다. 실험(3)은 NAND와 NOR을 이용해 RS래치회로를 구성한 것인데, 이
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)
...(이하 생략). 1. 컴퓨터 시스템에서의 RAM과 ROM의 위치
2. RAM의 종류
3. SRAM과 DRAM의 비교
4. SRAM의 동작원리 - 플립플롭 (자세히)
5. DRAM의 동작원리 - 콘덴서 (간단히)
6. ROM의 종류 및 동작 특성
7. 추가 - Flash Memory
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