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박막 형성 공정 및 분석법············25
3.1 박막 형성 공정···························25
3.1.1 진공·································25
3.1.2 열 증착 공정···························25
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박막소재
2-7-2.박막화 기술
2-8.나노복합 절연체 제작 공정 및 유기물 절연체 형성
2-8-1. pentacene 반도체 층 증착
2-8-2. Al source-drain 전극 증착
2-8-3. 표면처리
2-8-4.전기 도금된 Ni의 표면조도
2-8-5.나노입자에 따른mobility 및Current on/off ratio
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반도체의 성질
2) 반도체의 일반적 이론
(1) 반도체의 캐리어(Carrier)
(2) 진성 반도체
(3) 불순물 반도체
(4) n형 반도체와 에너지대
(5) p형 반도체와 에너지대
(6) 재결합
3) 반도체의 종류
(1) 원소 반도체
(2) 화합물 반도체
(3) 유기물 반도
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반도체공학 - 박광순, 여진경 역. 학문사. 1997
[5] http://www.ece.utep.edu/research/webedl/cdte/Fabrication/index.htm
[6] http://lsm.rutgers.edu/facilities_ALD.shtml
[7] chap2. 전계효과 트랜지스터(FET) - 디스플레이공학 이준신교수님 강의자료 1. 실험목적 (Purpose)
2.
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박막증착이 가능한 진공도에 도달하게 되면 power supply에 전원을 넣고, 전류를 가해 발생하는 저항열에 의해 시료(Alq3 또는 TPD)를 승화시켜 기판 위에 박막을 증착시킨다.
5) 증착이 완료되면 power supply 및 RP와 DP의 전원 스위치를 내리고, N2 gas
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제 3 장. 실험 방법 30
제 1 절 기판 및 시약 준비 30
제 2 절 OTS 증착 31
제 3 절 MIS 커패시터의 제작 34
제 4 장. 실험 결과 38
제 1 절 누설전류 특성 38
제 2 절 펜타센 증착 표면 43
제 5 장. 결 론 51
참고문헌 52
Abstract 55
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반도체를 이용하여 전기적 특성을 측정해 보았다. 그리고 기존의 silicon dielectric 대신에 취성이 없는 유기물 절연체 물질인 PVP(Poly Vinyl Phenol)을 이용하여 좀 더 플렉시블 하면서 고성능의 TFT를 만들어 보았다. 그 결과 이동도는 370.83cm2/Vs로 유
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