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silicon nanowire)과 SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) 기술을 결합하여 세계에서 가장 작은 8nm급 3차원 차세대 비휘발성 플래시 메모리 소자를 개발하는데 성공하였다. 이번에 개발된 3차원 메모리 소자는 전자의 이동 통로인 실리콘 나노선 위에
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silicon deposition>
(1)gas-phase decomposition (2) transport to the surface of the wafer
(3) adsorb (4) diffuse (5) decompose (6) the reaction by-products desorb
-PECVD를 이용한 실리콘 증착법
일반적으로 PECVD로 증착되는 필름은 silicon nitride (SixNy), silicon dioxide (SiO2), silicon oxy-nitri
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유지 시키면 grain boundary에 먼저 groove가 형성되는 성질을 이용한 방법이다. 그 결과 grain boundary는 광학 및 전자현미경에 의해 관찰할 수 있게 된다. 열 부식의 경우 재료에 따라 노의 분위기는 상태 조절이 필요한데 예로서, silicon nitride의 경우
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silicon nitride 베.어.링.
볼.의. 경.우. 경.량.이.며., 강.성.이. 높.고., 방.식.성.이. 높.고., 윤.활.성.도. 우.수.하.며., 내.마.모.성., 낮.은. 열.평.창.계.수. 등.의. 우.수.한. 특.성.을.
지.니.고. 있.음.을. 알. 수. 있.다.. 하.지.만. 전.통.적.인. HIP(hot is
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