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CVD
1) 압력에 따른 분류
2) Reactor 온도에 따른 분류
3) Reactor Shape에 따른 분류
4. PECVD
1) PECVD 원리
2) PECVD 증착 기구
3) PECVD의 장점 및 단점
5. ECR PECVD
1) ECR 플라즈마의 원리
2) ECR PECVD 증착 기구
3) ECR PECVD의 장점 및 단점
6. Ph
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※ PLASMA의 원리
- 플라즈마란 소위 ‘제 4의 물질상태’
- 전기적인 방전으로 인해 생기는 전하를 띤 양이온과 전자들의 집단
- 기체 상태에서 더 큰 에너지를 받게되면 상전이와는 다른 이온화된 입자들. 즉, 양과 음의 총 전하 수가 거의
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PE-CVD, ICV-CVD, LP-CVD 등다양한 CVD 성장법을 연구하여 고품질의 대면적그래핀을 저온에서 성장하기 위한 연구가진행중이다
4. 에피택시 합성법
에피택시합성법은 실리콘카바이드(SiC) 와 같이 탄소가 결정에 흡착되거나 포함되어 있는 재료를 약1
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CVD(저압 화학기상증착) 장비를 공급하는 유진테크, PE-CVD(플라즈마 화학증착) 장비를 공급하는 원익IPS, 주성엔지니어링, 테스 총 4개 업체를 눈여겨볼 만하다
테스 외 원익IPS, 주성엔지니어링, 유진테크는 ALD(원자층 증착) 장비 국산화에 집중
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R22 냉매를 대체할 수 있는, 상기 사항들을 고려할 때 R404a로 대체하는 것이 적합한
것으로 검증 됨. 1. 공정 대응 흐름도
2. Chiller & Heat Exchanger 사양서
PE CVD : JUSUNG
Dry Etch : TEL, ADP, ICD
3. 설치 실적
4. Chiller & Heat Exchanger 특장점
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