|
산하는 방법을 사용한다. 양이온의 수가 많을수록 이온전류가 증가한다. 보통 torr에서 torr 정도에서 사용을 하고 있다.
※ Magnetron Sputtering에 대해 알아보자.
글로방전 스퍼터링 쳄버의 Ar 압력은 방전을 유지하기 위해서 ~torr로 높고, 평균 자
|
|
|
Sputtering을 이용한 Ti 증착
1. 실험 목적
Working pressure를 변화 시킬 때 두께와 저항의 변화를 그래프를 이용해 분석하여 Working pressure와 두께, 저항의 관계를 알아본다.
2. 실험 이론-Sputter의 원리
≪ 그 림 ≫
구슬치기의 원
|
|
|
Unbalanced Magnetron(UBM) Sputtering
1. UBM Sputtering
- UBM sputtering 장치는 Magnetron sputtering 장치를 개선 하여 내부 자석과 외부 자석의 자장의 세기를 다르게 설계한 장치이며, 자장이 내부와 외부 사이를 벗어나므로 전자가 기판의 표면 쪽으로 향
|
|
|
sputtering 발생, cascade형성, gas atom과 불순물 포함
b) vacancy같은 점 결함이 표면 아래 형성되어 잔류 응력 증가, 전위 생성, void 생성
c) 기판에서 구성요소의 sputtering yield가 다양해져 non-stoichiometric 막을 형성한다.
d) 증착전에 기판 cleaning을 위해
|
|
|
가능하고 효율이 높기 때문에 박막 광전지에 활용할 수 있는 물질에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 1. Sputtering
1-1. 용어
1-2. Sputtering
1-3. Plasma
1-4. Sputtering 원리 및 특징
1-5. Sputtering 장단점
1-6. Sputtering 종류
1-7. Sputtering M/C
|
|
 |
sputtering 한 후 시료의 두께가 대략 50nm 5nm가 되도록 증착하였다.
1-2. 전기적 특성 평가 (I-V)
NiO 박막의 스위칭 특성을 보기 위해서 혼합가스의 산소비를 0%~6% 로 증착하였다. 이렇게 증착한 박막을 400~700℃ 각각 열처리를 한 후 I-V를 측정하였다.
|
|
 |
Sputtering, PECVD, PHOTO, Dry Etch, Wet Etch, Strip 및 검사공정등의 TFT 공정뿐만 아니라 배향, Rubbing, Valc, CPS, 식각등의 Cell 후공정 등 LCD 전반의 지식을 갖고 있습니다. 또한 수율을 Care하기 위해서는 품질 Mind는 필수입니다. 신뢰성과 연관되는 품질문제
|
|
 |
sputtering공정. 금속증착공정을 바탕으로 제가 가진 능력을 보여 드릴 수 있을 것입니다.
제가 가진 지식과 귀사가 보유한 많은 000 배워나가며 실무 경험이 바탕이 되었을 때 지금보다 더욱더 000 산업시장에서 확고적인 기업으로 성장하는데
|
|
메뉴펼치기
