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이번 학습에서는 NAND Flash의 Read와 Erase 방법에 대하여 알아본다.
NAND Flash는 Thershold 전압 0V를 기준으로 TR ON/OFF를 결정한다.
Cell Current는 Read시의 전류를 나타내는 것으로 Sensing Margin을 결정하는 중요한 요소이다.
Erase시에는 PP-Well에 고
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이번 학습에서는 NAND flash에서 사용하는 transistor의 종류 및 gate oxide 형성 방법, active 형성 방법 등을 다루고자 한다
NAND flash에서는 20V 이상의 고전압이 사용되기 때문에, 고전압용 gate oxide와 저전압용 gate oxide의 integration이 중요한 이슈이다
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NAND Flash는 FN-Tunneling을 이용하여 Program/Erase를 한다.
Floating Gate는 Control Gate와 Substrate사이에 위치하며 Coupling에 의하여 전압이 유도된다.
Control Gate 전압중 Floating Gate에 영향을 주는 Factor를 Coupling Ratio라고 하고 ONO와 Tunnel Oxide Capacitance에 의하
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또한 NAND 게이트와 마찬가지로 OR 게이트의 표시 기호에 NOT 게이트에서 따온 작은 동그라미를 붙여서 사용한다. NOR 게이트의 심볼은 그림 3 과 같고 진리표는 그림 3 과 같다. NOR 게이트의 입력은 NAND 게이트와 반대로 모두 0 일 때만 1 을 출력하
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결한 것과 같은 원리
-NAND 게이트의 표시기호는 AND 게이트의 표시기호 끝에 NOT
-게이트의 표시기호에서 따온 작은 동그라미를 붙여서 만듬
- 입력중 하나만 “0”이면 출력은 “1”
- NAND 게이트의 논리식은 AND와 NOT 게이트의 논리식을 결합
해
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