옴의 법칙 및 테브난 노턴 정리

소개글

옴의 법칙 및 테브난 노턴 정리에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. 목적
2. 이론
3. 설계
4. 실험
5. 결과

본문내용

A
1.55mA
0.007mA
1.117mA
1.11mA
1.11mA
1.11mA
0.007ma
0.78mA
0.78mA
0.78mA
0.78mA
0
0.658mA
0.66mA
0.66mA
0.66mA
0.002mA
<표 1 이론값과 측정값 비교>
5. 결론
▶ 실험에 사용 된 회로는 옴의 법칙, 테브난 정리, 노오튼 정리를 통해 모두 부하에 흐르는 전류를 구할 수 있었다. 측정값과 이론값의 오차발생 원인은 탄소피막저항 제작 시의 오차 값과 도선에 있는 저항 등에 따른 것으로 옴의 법칙, 테브난 정리, 노오튼 정리를 사용하여 이론값을 구했을 때 측정치와 허용범위 내의 오차를 가지게 된다.
측정값과 이론값을 비교해보면 거의 오차가 없음을 알 수 있는데 기존 이론에 따라 회로에 흐르는 전류의 크기는 전압에 비례하고 저항에 반비례 한다는 옴의 법칙 결론, 회로를 단일 저항과 단일 전압원의 직렬연결로 변경 하는 테브난 정리 결과, 회로를 단일 전류원과 단일 저항의 병렬연결로 변경 하는 노오턴 정리를 증명 할 수 있었다. 그리고 이론값을 구할 때 테브난 정리와 노오튼의 정리를 사용할 경우 옴의 법칙을 사용 할 때 보다 훨씬 빨리 부하전류 값을 구할 수 있다.

키워드

전기,   전자,   전기전자실험,   옴의 법칙,   테브난,   노턴,   테브난정리,   노턴정리,   옴의법칙및테브난노턴