목차
1. 목적
2. 이론
3. 설계
4. 실험
5. 결과
2. 이론
3. 설계
4. 실험
5. 결과
본문내용
된다. 위의 식은 npn형과 pnp형 모두에서 성립한다.
<그림 4 트랜지스터의 전류>
● 베이스와 컬렉터 사이의 비율을 전류 증폭률 라고 한다.
● 이미터와 컬렉터로 전달되는 비율을 전류 증폭률 라고 한다. α는 1을 넘길 수 없다.
▶ 트랜지스터의 동작 원리
● npn트랜지스터의 동작원리는 베이스에 전류를 인가하면 컬렉터에서 이미터로 전류가 흐르게 된다. 즉, 작은 전류를 베이스에 인가하여 컬렉터에서 이미터로 흐르게 되는 큰 전류를 제어 할 수 있다. 또한, 베이스 전류를 on/off하면서 컬렉터에서 이미터로 전류를 스위칭 할 수 도 있다.
※ npn 트랜지스터는 베이스단의 전압이 이미터 보다 높을 때 동작한다.
<그림 5 npn트랜지스터 동작원리>
● pnp트랜지스터의 동작원리는 베이스에서 전류를 빼내면 이미터에서 콜렉터로 전류가 흐르게 된다.
※ pnp 트랜지스터는 이미터보다 베이스단의 전압이 낮을 때 동작한다.
3. 설계
<그림 6 실험에 사용 된 회로도>
● : 각조×0.6+6V=9V사용
● : 5V
● :
● :
4. 실험
▶ 실험 #1 각 부의 전압측정
● POWER SUPPLY의 P1단자를 통해 N형 단자에 9V전압을 인가한다.
● 각부의 전압을 측정 해본다.
● 이 때, 이다.
SW OFF
335mV
2V
-1.2mA
SW ON
724mV
300mV
26mA
<표 1 측정 값>
▶ 실험 #2 파형 측정
● 함수발생기를 베이스단자에 연결하고 출력파형을 5Hz, TTL레벨로 인가한다.
● LED가 1초에 5번씩 점멸하는지 확인하고 이 때 의 파형을 그려라.
<그림 7 입/출력 파형 측정>
5. 결론
▶ 이번 실험에 사용된 트랜지스터는 npn형 트랜지스터 이다. npn형 트랜지스터는 베이스에 전압을 인가하게 되면 컬렉터에서 이미터로 전류가 흐르게 되는데 표 1에서 보면 알 수 있듯이 베이스에 전압을 가하지 않았을 때, 에 흐르는 전류가 0에 근접함을 알 수 있다. 반대로 베이스에 전압을 인가하였을 경우에 흐르는 전류가 26mA로 다이오드 전류 값 이론값에 근접 하였다. 또한 이를 LED의 점멸상태를 통해 가시적으로 확인 가능 하였다. 이런 원리를 이용하여 트랜지스터는 스위칭 회로를 구성 할 수 있는데 함수발생기를 베이스단에 연결하였을 때 오실로스코프를 이용하여 파형을 측정해 보았다. 그 결과 <그림 7>과 같은 파형이 측정 되었고 LED가 초당 5회 점멸함을 확인 할 수 있었다.
<그림 4 트랜지스터의 전류>
● 베이스와 컬렉터 사이의 비율을 전류 증폭률 라고 한다.
● 이미터와 컬렉터로 전달되는 비율을 전류 증폭률 라고 한다. α는 1을 넘길 수 없다.
▶ 트랜지스터의 동작 원리
● npn트랜지스터의 동작원리는 베이스에 전류를 인가하면 컬렉터에서 이미터로 전류가 흐르게 된다. 즉, 작은 전류를 베이스에 인가하여 컬렉터에서 이미터로 흐르게 되는 큰 전류를 제어 할 수 있다. 또한, 베이스 전류를 on/off하면서 컬렉터에서 이미터로 전류를 스위칭 할 수 도 있다.
※ npn 트랜지스터는 베이스단의 전압이 이미터 보다 높을 때 동작한다.
<그림 5 npn트랜지스터 동작원리>
● pnp트랜지스터의 동작원리는 베이스에서 전류를 빼내면 이미터에서 콜렉터로 전류가 흐르게 된다.
※ pnp 트랜지스터는 이미터보다 베이스단의 전압이 낮을 때 동작한다.
3. 설계
<그림 6 실험에 사용 된 회로도>
● : 각조×0.6+6V=9V사용
● : 5V
● :
● :
4. 실험
▶ 실험 #1 각 부의 전압측정
● POWER SUPPLY의 P1단자를 통해 N형 단자에 9V전압을 인가한다.
● 각부의 전압을 측정 해본다.
● 이 때, 이다.
SW OFF
335mV
2V
-1.2mA
SW ON
724mV
300mV
26mA
<표 1 측정 값>
▶ 실험 #2 파형 측정
● 함수발생기를 베이스단자에 연결하고 출력파형을 5Hz, TTL레벨로 인가한다.
● LED가 1초에 5번씩 점멸하는지 확인하고 이 때 의 파형을 그려라.
<그림 7 입/출력 파형 측정>
5. 결론
▶ 이번 실험에 사용된 트랜지스터는 npn형 트랜지스터 이다. npn형 트랜지스터는 베이스에 전압을 인가하게 되면 컬렉터에서 이미터로 전류가 흐르게 되는데 표 1에서 보면 알 수 있듯이 베이스에 전압을 가하지 않았을 때, 에 흐르는 전류가 0에 근접함을 알 수 있다. 반대로 베이스에 전압을 인가하였을 경우에 흐르는 전류가 26mA로 다이오드 전류 값 이론값에 근접 하였다. 또한 이를 LED의 점멸상태를 통해 가시적으로 확인 가능 하였다. 이런 원리를 이용하여 트랜지스터는 스위칭 회로를 구성 할 수 있는데 함수발생기를 베이스단에 연결하였을 때 오실로스코프를 이용하여 파형을 측정해 보았다. 그 결과 <그림 7>과 같은 파형이 측정 되었고 LED가 초당 5회 점멸함을 확인 할 수 있었다.
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