일반물리학 다이오드 실험

소개글

일반물리학 다이오드 실험에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. 실험 목적 및 이론
2. 실험 방법 및 순서
3. 실험 결과
4. 질문과 답
5. 고찰

본문내용

옮기는 운반매개로써 정공이 사용되는 반도체란 사실도 알게 되었다. 또한 다이오드를 알기 전에 반도체를 알 필요가 있었다. 이런 P형, N형 반도체를 접합해서 만드는 것이 다이오드이기 때문이다. 전기전도도에 따라 물질을 분류하면 크게 도체, 반도체, 부도체로 나뉜다. 반도체는 순수한 상태에서 부도체와 비슷한 특성을 보이지만 도핑이라는 방법으로 불순물의 첨가에 의해 전기전도도가 늘어나기도 하고 빛이나 열에너지에 의해 일시적으로 전기전도성을 갖기도 한다. 진성 반도체(Si, Ge)는 평상시에는 부도체와 같이 전자의 이동이 어려우나 자극을 받으면 공유결합을 하고 있던 소수의 전자가 튀어나와 이동하기 쉬운 전자로 되기 때문에 도체로 되어 전류를 흘려보낼 수 있게 된다. 이렇게 두 반도체를 접합하면 접합한 부분에는 정공과 전자가 결합을 하고 이온화된 전장이 형성되어 더 결합이 이루어지지 않는 공간 전하 영역 또는 공핍 층이 생기는데 p형과 n형의 바이어스가 순방향일 때 공핍 층이 없어지고 전류가 흐르게 된다는 것을 알 수 있었다. 하지만 바이어스가 역방향일 때는 공핍 층이 더 넓어져 전류가 흐르지 못한다. 순방향이 되게 하려면 p형에 +극을 n형에 극을 연결시키면 될 것이라고 추측된다. 단 다이오드가 공핍 층을 없애기 위한 최소 전압 이상은 걸어주어야 한다. LED가 널리 쓰이고 있는 데에 반해 LED에 대해 잘 몰랐는데 직접 실험으로 원리를 알아보고 나니 새로운 것을 알게 되어서 좋은 경험이었다고 생각한다. LED의 색상을 통해 전압을 적정량보다 많이 걸었는지 적게 걸었는지 확인 할 수 있을 것이라고 생각한다.

키워드

다이오드,   동작원리,   문턱전압,   실리콘,   게르마늄,   도핑,   p-n 접합,   순방향 바이어스,   반도체,   다이오드 실험