[A+자료] 반도체 공학 요약 자료

소개글

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목차

1. 반도체 소자 및 IC 개요

2. 웨이퍼 및 마스크 제조

3. FAB 공정

4. PHOTO, ETCH 공정

5. Doping 공정

본문내용

1. 다이오드

- 한쪽 방향으로만 전류를 흘리는 특성

※PN접합 확산 표동전류 비교- 역방향, 순방향

열적 평형 상태의 다이오드의 PN접합에서는 확산전류 성분과 표동전류 성분이 같게 된다. 이때 정공 및 전자의 확산 전류가 순방향 전류이고 표동전류가 역방향 전류이다.

<중략>

Doping 공정의 응용

① Wafer 안의 비저항 결정: Ingot을 만들 때 저항값 컨트롤.

② PN접합 형성: Source와 Drain형성.

③ Ohmic contact 형성: 메탈을 증착 공정할 때 Contact resistance가 너무 높으면 잘 붙지 않는다. 이때 접합 면에 고농도로 도핑하게 되면 공핍층이 좁아져 터널링 현상이 발생.

④ Threshold voltage 조절: 반도체 소자마다 문턱전압 값을 조절할 수 있다.

키워드

반도체,   웨이퍼,   FAB,   포토,   에칭,   도핑,   반도체공학,   요약