[A+] 면저항 결과 보고서 레포트

소개글

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목차

1. 목적
2. 실험이론
3. 실험 재료 및 방법
4. 실험결과
5. 결론 및 고찰
6. 참고문헌

본문내용

4-Point Probe를 이용하여 4-Point Probe의 Probe(탐침)을 내려 각 시료마다 5회씩 면저항을 측정한다.
③금속과 반도체의 전기적 특성과 연관 지어 데이터를 정리한다.
면저항 시험 장치
4. 실험결과
시편
면저항
두께
ITO
8.46
100
FTO
7.5
100
실리콘 웨이퍼
166
545
시편 결과표
계산과정
ITO 비저항
=8.46 x 100xcm = 0.0846
FTO 비저항
=7.5 x 100xcm = 0.075
실리콘웨이퍼 비저항
=166 x 545xcm = 9.047
ITO 전기전도율
=1/0.0846 () = 11.8203
FTO 전기전도율
=1/0.075 () = 13.3333
실리콘 웨이퍼 전기전도율
=1/9.047 () = 0.1105
5. 결론 및 고찰
이번 실험은 RSD-40K측정기를 이용하여 ITO와 FTO 그리고 실리콘웨이퍼를 측정해보았다. 총 1회씩 측정을 하였다. 먼저 전기전도율을 보았을 때 전기전도율은 1/비저항이기 때문에 비저항이 작으면 전기전도율이 높게 측정된다. 비저항에 영향을 주는 인자 중에는 두께가 있다. 이때 실리콘 웨이퍼는 ITO와 FTO와 다르게 545이다. 이를 생각하고 비저항 결과 값을 보면 ITO는 0.0846 , FTO는 0.075 실리콘 웨이퍼는 9.047 인데 두께가 두꺼울 때 저항값도 높아진다는 사실을 확인할 수 있었다. 또한 실리카웨이퍼는 규소 특정상 전기전도도는 낮다는 것을 알 수 있다. 이때 불순물의 종류에 따라 비저항값을 조절할 수 있다는 특징도 가지고 있다. 이런 특징이 결과 값에 영향을 준 것으로 예상한다.
ITO의 특징으로는 고전도율을 가지며 가시광선이 흡수와 반사가 잘되지 않아 투과율이 높다는 특징이 있다. 그래서 결과값을 보았을 때 ITO가 전기전도율이 높아야 한다. 하지만 실제 시험에서는 FTO가 더 조금 더 크게 측정 되었는데 그 이유는 먼저 시험 횟수가 적었다는 점에 찾을 수 있었다. 또한 시편자체에 스크레치나 표면에 불순물이 포함되어있을 가능성이 있기에 이를 오차의 원인으로 보고 있다.
결과적으로 봤을 때 이번 시험에서 FTO,ITO는 큰 차이가 나지 않았지만 실리콘웨이퍼와는 차이가 있었다. 그 이유로는 두께의 차이와 실리카웨이퍼의 특징에서 찾을 수 있었다.
6. 참고문헌
William F. Smith / 재료과학과 공학 / Mc Graw Hill / P.760~763

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